[工学]第1章 常用半导体器件修改.ppt

半导体器件 1.1.1 导体、绝缘体和半导体 1.1.5 导电结构模型的表示方法 P型半导体的导电结构 N型半导体的导电结构 其中带“-”的圆圈表示不能移动的负离子，带“+”号的圆圈表示不能移动的正离子，小白点表示空穴，小红点表示自由电子。 PN结加正向电压时导通 PN结加反向电压时截止 一.非线性元件的认识 结构特点： ? 发射区的掺杂浓度最高 ? 集电区掺杂浓度低于发射区，且面积大； ? 基区很薄，一般在几个微米至几十个微米，且掺杂浓度最低。 管芯结构剖面图 三极管内有两种载流子(自由电子和空穴)参与导电，故称为双极型三极管。或BJT (Bipolar Junction Transistor)。 三极管各区的作用: 发射区向基区提供载流子 基区传送和控制载流子 集电区收集载流子 发射结加正向电压 集电结加反向电压 1.4.2 三极管的电流放大作用 三极管的放大原理归结为： 外部条件： 发射结正偏 集电结反偏 内部机制： 载流子传输 分类： 按材料分： 硅管、锗管 按功率分： 小功率管 500 mW 按结构分： NPN、 PNP 按使用频率分： 低频管、高频管 大功率管 1 W 中功率管 0.5 ?1 W 三极管的三种组态： 共集电极接法，集电极作为公共电极，用CC表示。 共基极接法，基极作为公共电极，用CB表示； 共发射极接法，发射极作为公共电极，用CE表示； CB CE CC VCC Rc ui + - uo + - Rb VBB C1 C2 基本共射放大电路 1. 三极管内部载流子的传输过程 发射结正偏，发射区向基区注入 多子电子，形成电子电流 IEN； 基区空穴向发射区扩散形成IEP； 扩散运动形成发射极电流IE 。 I CN IE I BN I CBO IB IEP IEN IC (基区空穴运动因浓度低而忽略 ) I CN IE I BN I CBO IB IEP IEN IC 2) 电子到达基区后，因集电结反偏，多数电子均作为基区的非平衡少子通过集电结漂移到集电区； 基区空穴向发射区扩散形成扩散电流IEP； 集电区的少子空穴通过集电结漂移到基区，形成漂移电流ICBO。 少数电子与基区空穴复合，形成复合电流 IBN ； 基区空穴浓度要保持平衡，靠电源VBB作用，形成基极电流 IB 。 基区所消耗空穴 基区所获得空穴 3)因集电结反偏，从发射区扩散到基区的电子多数均作为基区的非平衡少子通过集电结漂移到集电区； 集电区收集扩散过来的载流子----电子形成电流 ICN ； 基区的少子电子通过集电结漂移到集电区，形成漂移电流ICBO。 I CN IE I BN I CBO IB IEP IEN IC (基区空穴运动因浓度低而忽略 ) IC I CN IE I BN I CBO IB IEP IEN IC (基区空穴运动因浓度低而忽略 ) 2. 三极管的电流分配关系 IC 1）共射直流电流放大倍数 3. 晶体管的电流放大系数 集电区获得发射区的电子 基区所消耗的空穴 那么 　　当管子制成后，发射区载流子浓度、基区宽度、集电结面积等确定，故电流的比例关系确定，为常数。 物理意义：当发射极开路时，集电结的反向饱和电流。 穿透电流 穿透电流物理意义：当基极开路（IB=0）时，在VCC作 用下集电极与发射极之间形成的电 流。 一般情况下，　　 IE = IC + IB 2）共射交流电流放大系数 ? 是共射电流放大系数，同样，它也只与管子的结构尺寸和掺杂浓度有关，与外加电压无关。一般 ? 1 晶体三极管电流放大的实质： 以很小的基极输入电流去 控制较大的集电极输出电流。 IC= ICN+ ICBO 通常 ： ICN ICBO ? 为共基电流放大系数，它只与管子的结构尺寸和掺杂浓度有关，与外加电压无关。一般 ? = 0.9?0.99 IE=IB+ IC 3）共基直流电流放大系数 共基交流电流放大系数 I CN IE I BN I CBO IB IC IE I BN IB IC I CBO I CN 上式分