[工学]半导体物理和器件物理基础.ppt

第二章 半导体物理和器件物理基础 2.1半导体及其基本特性 2.2半导体中的载流子 2.3 pn结 2.4双极型晶体管 2.5 MOS场效应晶体管 通常金属的电导率为106-104（ ）-1，绝缘体的电导率小于10-10（ ）-1，电导率在104-10-10（ ）-1之间的固体称为半导体。 半导体和金属的区别在于半导体中存在禁带，金属中没有； 半导体和绝缘体要根据禁带宽度和电导率的温度特性加以区分。 半导体的主要特点 （1）在纯净的半导体材料中，电导率随温度的上升而指数增加 （2）半导体中杂质的种类和数量决定着半导体的电导率，而且在掺杂情况下，温度对电导率的影响较弱 （3）在半导体中可以实现非均匀掺杂 （4）光的幅射、高能电子等注入可以影响半导体的电导率 半导体的掺杂 电子和空穴 在半导体中如果共价键的电子能获得足够的能量，可以摆脱共价键的束缚，变为自由电子；这时共价键留下一个缺位，由于相邻共价键的电子可以随时转移到此空位，称可以移动的缺位为空穴。 在半导体中的电子和空穴统称为载流子。 常温下硅的导电性能主要由杂质决定。 在硅中加入V族元素杂质时有一个价电子成为自由电子。一个V族杂质原子可以向半导体硅提供一个自由电子而本身成为带正电的离子，这种杂质称为施主杂质，依靠电子导电的半导体为n型半导体。 在硅中加入Ⅲ族元素杂质时向半导体提供一个空穴。一个Ⅲ族杂质原子可以向半导体硅提供一个空穴而本身成为带负电的离子，这种杂质称为受主杂质，依靠空穴导电的半导体为p型半导体。 导电特性 L = 1 m, U=1V, T = 300 K E = U/L 自由电子热运动平均速度107 cm/s 电子平均自由运动时间（弛豫时间） τn≈ 10 -12s 平均漂移速度 （1）从上式可以看出载流子浓度n和p均与电场强度E没有关系，载流子的平均漂移速度与场强成正比。 （2）平均自由运动时间 越长，迁移率越高 决定平均自由运动时间的因素： （i）晶格散射 （ii）电离杂质散射 硅的迁移率与杂质和温度的关系: ?高纯或低掺杂样品（杂质小于1017cm-3） 晶格散射为主，T升高μ迅速减小。 ?掺杂浓度升高 电离杂质散射影响逐步增加,μ随温度变化减缓。 半导体的漂移电流 电流密度 电子 空穴 电子电流密度 空穴电流密度 n是自由电子浓度，p是空穴浓度， 电子迁移率 空穴迁移率 电子电导率 空穴电导率 总漂移电流密度 半导体的电导率 载流子的漂移运动：载流子在电场作用下的运动 电子 空穴 总电导率 n型：np p型：p n 半导体材料电导率的决定因素： 1）载流子浓度n，p 2）载流子迁移率 半导体电导率主要受温度和杂质浓度影响。 通常，室温下，半导体掺杂浓度越高，电导率越大。 第二章 半导体物理和器件物理基础 2.1半导体及其基本特性 2.2半导体中的载流子 2.3 pn结 2.4双极型晶体管 2.5 MOS场效应晶体管 一、能带理论 1、原子能级与晶体能级 1）能级（Energy Level） 在孤立原子中，原子核外的电子按照一定的壳层排列，每一壳层容纳一定数量的电子。每个壳层上的电子具有分立的能量值，也就是电子按能级分布。 用一条条高低不同的水平线表示电子的能级 2）能带（Energy Band） 原子核较远的壳层发生交叠，壳层交叠使电子不再局限于某个原子上，有可能转移到相邻原子的相似壳层上去，也可能从相邻原子运动到更远的原子壳层上去，这种现象称为电子的共有化。 共有化使能级发生扩展，扩展后的多个相邻很近的能级统称为能带。 3）禁带（Forbidden Band） 允许被电子占据的能带称为允许带。 允许带之间的范围不允许电子占据称为禁带。 电子中是先占据原子壳层中的内层允许带，然后再向高能量的外面一层允许带填充。 被电子占满的允许带称为满带。 每一个能级上都没有电子的能带称为空带。 4）价带（Valence Band） 原子中最外层的电子称为价电子，与价电 子能级相对应的能带称为价带。 5）导带（Conduction Band） 价带以上能量最低的允许带称为导带。 导带的底能级 Ec 价带的顶能级 Ev 禁带 Eg= Ec- Ev 二、本征半导体与杂质半导体 1）本征半导体 结构完整、纯净的半导体称为本征