[工学]第1章 常用半导体器件.ppt

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[工学]第1章 常用半导体器件

关键词:“管为路用” 在这一章将着重阐述一些基本 概念。 对于半导体器件,必须本着“管为路用” 的原则,重点阐述器件的外部特性,以便我们在研究电路工作原理时能正确使用和合理选择这些器件。 “管”→→→即:二极管、晶体管等半导体器件 “路”→→→即:电路 二极管的电流与其端电压的关系称为伏安特性 从二极管的伏安特性可以反映出: 1. 单向导电性 最大整流电流IF:最大平均值 最大反向工作电压UR:最大瞬时值 反向电流 IR:即IS 最高工作频率fM:因PN结有电容效应 1.2.4 二极管的等效电路 一、将伏安特性折线化 直流电压源和交流电压源同时作用的二极管电路 三、习题 (1)自测题三判断电路中二极管的工作状态,求解输出电压。 【分类】 几种常见三极管实物图 半导体三极管的型号 结构制作要求: 即在满足内部结构要求的前提下,三极管要实现放大,必须连接成如下形式: 一、晶体管内部载流子的运动 三极管内部载流子运动分为三个过程: 三极管内部载流子运动分为三个过程: 三极管内部载流子运动分为三个过程: 三极管内部载流子运动分为三个过程: 二、输出特性曲线 iC=f(uCE)? iB=const 本章作业 1.3、1.4、1.5、1.6、1.8、1.9、1.10、1.12、1.13、1.16 3.当uGD uGS(off),时, , uGS 对漏极电流iD的控制作用 场效应管用低频跨导gm的大小描述栅源电压对漏极电流的控制作用。 场效应管为电压控制元件(VCCS)。 在uGD = uGS -uDS uGS(off),当uDS为一常量时,对应于确定的uGS ,就有确定的iD。 gm=?iD/?uGS (单位mS) 小结 (1)在uGD = uGS -uDS uGS(off)情况下, 即当uDS uGS -uGS(off) 对应于不同的uGS ,d-s间等效成不同阻值的电阻。 (2)当uDS使uGD = uGS(off)时,d-s之间预夹断 (3)当uDS使uGD uGS(off)时, iD几乎仅仅决定于uGS ,  而与uDS 无关。此时, 可以把iD近似看成uGS控制的电流源。 二、结型场效应管的特性曲线 1. 转移特性(N 沟道结型场效应管为例) O uGS iD IDSS UGS(off) 图 1.4.6 转移特性 uGS = 0 ,iD 最大;uGS 愈负,iD 愈小;uGS = UGS(off) ,iD ? 0。 两个重要参数 饱和漏极电流 IDSS(UGS = 0 时的 ID) 夹断电压 UGS(off) (ID = 0 时的 UGS) UDS iD VDD VGG D S G V ? + V ? + uGS  特性曲线测试电路 + ? mA 转移特性 O uGS/V ID/mA IDSS UP 图 1.4.6 转移特性 2. 输出特性曲线   当栅源 之间的电压 UGS 不变时,漏极电流 iD 与漏源之间电压 uDS 的关系,即 结型场效应管转移特性曲线的近似公式: ≤ ≤ IDSS/V iD/mA uDS /V O UGS = 0V -1 -2 -3 -4 -5 -6 -7 预夹断轨迹 恒流区 可变电阻区 漏极特性也有三个区:可变电阻区、恒流区和夹断区。 图 1.4.5(b) 漏极特性 输出特性(漏极特性)曲线 夹断区 UDS iD VDD VGG D S G V ? + V ? + uGS 图 1.4.5(a)特性曲线测试电路 + ? mA 击穿区 * 结型P 沟道的特性曲线 S G D 转移特性曲线 iD UGS(Off) IDSS O uGS 输出特性曲线 iD UGS= 0V + uDS + + o 栅源加正偏电压,(PN结反偏)漏源加反偏电压。 1.4.2 绝缘栅型场效应管MOSFETMetal-Oxide Semiconductor Field Effect Transistor 由金属、氧化物和半导体制成。称为金属-氧化物-半导体场效应管,或简称 MOS 场效应管。 特点:输入电阻可达1010?(有资料介绍可达1014?)以上。 类型 N 沟道 P 沟道 增强型 耗尽型 增强型 耗尽型 UGS = 0 时漏源间存在导电沟道称耗尽型场效应管; UGS = 0 时漏源间不存在导电沟道称增强型场效应管。 一、N 沟道增强型 MOS 场效应管 结构 P 型衬底 N+ N+ B G S D SiO2 源极 S 漏极 D 衬底引线 B 栅极 G 图 1.4.7 N 沟道增强型MOS 场效应管的结构示意图 S G D B 1. 工作原理 绝缘栅场效应管利用 UGS 来控制“感应

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