反应性磁控射频溅镀报告版唯读.PDF

反應性磁控射頻濺鍍法披 覆氮化鉻薄膜之製程研究 指 導 老 師 : 李 志 偉 老 師 學生 : 王政一 （3902008 ） 劉振權 （3902005） 邱聖智 （3902019 ） 蔡緒緯 （3902043 ） 王利達 （3902046 ） 一 、前言 『表面改質(Surface modification) 』 保有金屬基材的韌性並同時達成表面 性質強化的效果 。 延長其材料壽命並擴展其應用領域 。 在表面披覆一層耐蝕耐磨物質的改質 方法 。 表面改質技術除了應用於傳統機械產 業之外 ，在模具工業 、航太工業的應 用也都佔有非常重要的席次 。 二 、理論探討 薄膜沈積的原理 沈積理論總結 濺鍍的原理 濺鍍設備 薄膜沈積的機構 ，依發生的順序 ，可以分為以下幾個 步驟: (a)成 核 (Nucleation) (b)晶粒成長 (Grain Growth) (c)晶粒聚結 (Coalescence) (d)縫道填補 (Filling of Channnels) (e)沉積膜成長 (Film Groeth) 當離子與陰電極產生轟擊之後 ，基於動量轉換 (Momentum Transfer)的原理 ，離子轟擊除了會產生二次 電子以外 ，還會把電極板表面的原子給“打擊”出來 ，這 個動作稱之為“濺鍍 (Sputtering)” 。 基材 (靶材) 濺鍍設備 三 、實驗步驟 Homogenization CrN Homogenization CrN Casting Sputtering Casting 1100℃, 20min. Sputtering (F 15 x 2.2mm) 1100℃, 20min. (F 15 x 2.2mm) Ar protection Ar protection Mechanical EPMA Analysis Mechanical X-Ray Analysis EPMA Analysis Testing X-Ray Analysis Testing 反應式射頻磁控濺鍍試驗步驟 substrate preparation evacuating down to 2 x 10-3 Pa heating and degassing for 1 hour inlet Ar R.F. Sputtering Condition presputtering for 5 min. Sputtering Cr Power: 200W 5 min.