X光绕射原理-Mipaper.PDFVIP

第三章 X 光繞射原理 3.1 X 光繞射基本原理介紹[2] X 光是 19 世紀末一項重大的發現，由德國的物理學家倫琴(W.C. Rontgen)於陰極射線實驗中所觀察到的一個特殊現象。倫琴發現若以 陰極射線撞擊陽極靶時，會產生一不知名的射線導致遠距離外的鉑鋇 晶體幕板出現螢光。此種射線具有高度的穿透性，可隨著射線管電壓 增加而增強，並可使氣體離子化、使密封之底片感光等性質。倫琴於 是將此射線命名為 X 射線(X-rays) ，相關於X 光特性的研究也逐漸受 到大家的重視。 1913 年英國物理學家布拉格父子(W.H. Bragg and W.L. Bragg)根據 勞厄(M. Laue)所提出的 X 光繞射理論，進行一系列 X 光於氯化鈉 (NaCl)晶體上的繞射實驗。他們利用 X 光可將氣體離子化的特性，製 作出 X 光偵測器(X-ray detector)來偵測 X 光的繞射強度。此一實驗建 構了首部 X 光繞射儀(X-ray diffractometer) ，並成功的利用X 光繞射 理論測定出氯化鈉晶體的原子結構，從此確立了 X 光繞射技術在結 晶學研究上的重要地位。 X 光繞射理論乃是根據布拉格於 1913 年所提出的繞射模型，利用 X 光入射到結晶材料內部會被原子平面反射的原理 ，如圖3.1 所示， 當原子的平面間距為d 時，相鄰平面的入射 X 光與反射 X 光路徑相 17 差2d sinq ，其中q 為 X 光的入射角。當光程差為波長的整數倍時， 相鄰的結晶面散射波就會產生建設性的干涉，使 X 光波振幅倍增。 亦即當入射 X 光滿式(3.1)足布拉格定律，便會產生繞射現象。 2 d sin q nl (3.1) 由於原子平面間距d 是晶格常數的函數，故可藉由繞射的結果來決定 晶體的結構及晶格常數。 1 2 3 q q 入 d 繞 射 射 波 波 波 波 前 前 d d：反射原子面 （hkl）間距 ：入 （反）射光與原子面之夾角 n：繞射階次 圖 3.1 建設性干涉示意圖 X 光繞射技術應用相當廣泛，普遍使用於晶相鑑定(phase identification) 、優選方向(preferred orientation)判定、結晶度(degree of crystallinity)及晶粒度(crystallite size)量測、殘留應力檢測等分析上。 各種結晶材料因結晶結構及元素組成的不同，在 X 光繞射實驗中均 具有獨特繞射光譜(diffraction spectrum)之特性乃是晶相鑑定之主要 根據。1938 年 Hanawalt 等人首先提出利用 X 光粉末繞射光譜來鑑定 結晶物質的類別。由於此種晶相鑑定的技術需要一個完整的繞射資料 18 庫以供比對，因此歐美各國的相關機構聯合成立了一個國際性的粉末 繞射標準委員會(Joint Committee on