[信息与通信]半导体工艺 掺杂原理与技术.ppt

LSS理论？阻止能力的含义？ 离子注入的杂质分布？退火后？ 离子注入的主要特点？ 掩蔽膜的厚度？ 精确控制掺杂，浅结、浅掺杂，纯度高，低温，多种掩模，… 非晶靶。能量损失为两个彼此独立的过程(1) 核阻止与(2) 电子阻止之和。能量为E的入射粒子在密度为N的靶内走过x距离后损失的能量。 掩膜层能完全阻挡离子的条件： 4.4 本章小结 什么是离子注入损伤？退火的目的是什么？什么是RTP？ 产生大量空位－间隙对，直至非晶化。恢复晶格，激活杂质，恢复载流子迁移率和少子寿命。快速热退火，热扩散小，制作浅结。 4.4 本章小结 (1) 注入离子在靶内的纵向浓度分布可近似取高斯函数形式 (2) 在平均投影射程 x=Rp 处有一最高浓度，最大浓度与注入剂量关系 (3) 平均投影射程两边，注入离子浓度对称地下降。离平均投影射程越远，浓度越低。 4.4 本章小结 1. 在1000℃时向硅中扩散硼，表面浓度维持在1019cm-3，而扩散时间为1h。试求Q(t)和在x=0处以及掺杂浓度为1015cm-3处浓度梯度。 解：硼在1000℃时向硅中扩散的扩散系数约为2×10-14cm2/s，所以扩散长度为： 例题选讲 当CB=1015cm-3时，由 可得对应的xj， 例题选讲 2. 由AsH3气体将砷预淀积，单位面积的掺杂总量为1×1014cm-2，要花多少时间才能将砷在分布扩散到1μm的结深。假设衬底掺杂浓度为1×1015cm-3，再分布扩散温度为1200℃。对砷而言，D0=24cm2/s，Ea=4.08eV。 解： 上式的解可由方程 和 而求得。 因此，t=1190s≈20min 例题选讲 3. 假设硼以100keV、每平方厘米5×1014个离子的剂量注入进200mm的硅晶片。试计算其峰值浓度。如果注入在1min内完成，求离子束电流。 解：查表知本题的投影射程为0.31μm，投影偏差为0.07μm。由式 可得， 峰值浓度位于x=Rp，n(x)=2.85×1014个离子/cm2。 注入离子的总量为Q=5×1014×π×(20/2)2=1.57×1017个离子。 所需的离子电流为I=qQ/t=1.6×10-19×1.57×1017/60=4.19×10-4A ≈0.42mA。 例题选讲 4.当硼离子以200keV注入时，需要多厚的SiO2来阻挡99.99%的入射离子？投影射程为0.53μm，投影偏差为0.093μm 。 解：式 中的余误差函数可以近似为： 其中参数u代表 。若T=10-4，可以解出上面的方程式而得u=2.8。 因此d=Rp+3.96σp=0.53+3.96×0.093=0.898μm 例题选讲 例题选讲 掩蔽效率为99.99%时，不同材料的最小厚度和入射离子能量的关系，内插图表示离子透过深度d的情况 (1) 注入离子在靶内的纵向浓度分布可近似取高斯函数形式 (2) 在平均投影射程 x=Rp 处有一最高浓度，最大浓度与注入剂量关系 (3) 平均投影射程两边，注入离子浓度对称地下降。离平均投影射程越远，浓度越低。 4.4 本章小结 1.说明用于硅中扩散常见的固态、液态、气态源。 2.扩散的方式有哪三种？ 3.影响扩散速率的因素有哪些？ 4.杂质在硅中的扩散过程分为那两步，它们分别属于恒定源扩散还是限定源扩散，请用图形来说明这两个扩散过程。 5.解释本征扩散与非本征扩散的意义。 6.为什么要引入离子注入技术，离子注入技术有哪些优势？ 7.离子注入的原理？ 8.说明退火的目的和特点？ 9.试计算在中性环境中，950oC、30min硼预置掺杂情况的结深与杂质总量．假设衬底是n型硅，ND=1.88×1016cm-3，而硼的表面浓度为Cs=1.8×1020cm-3。 10.如果习题9中的例子放入1050oC、60min的中性环境进行再分布扩散，试计算扩散分布与结深． 11. 假设测得的磷扩散分布可以用高斯函数表示，其扩散系数D=2.3×10-13cm2/s，测出的表面浓度是1×1018cm-3，在衬底浓度为1×1015cm-3下测得的结深为1μm.请计算扩散时间和在扩散层中的全部杂质量． 12. 为防止突然降温而引起的硅晶片翘曲，扩散炉管的温度在20min内自1000oC线性下降至500oC．对硅内的磷扩散