- 1、本文档共32页,可阅读全部内容。
- 2、原创力文档(book118)网站文档一经付费(服务费),不意味着购买了该文档的版权,仅供个人/单位学习、研究之用,不得用于商业用途,未经授权,严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等,侵权必究。
- 3、本站所有内容均由合作方或网友上传,本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺!文档内容仅供研究参考,付费前请自行鉴别。如您付费,意味着您自己接受本站规则且自行承担风险,本站不退款、不进行额外附加服务;查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档,您可以点击 这里二次下载。
- 4、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等,请点击“版权申诉”(推荐),也可以打举报电话:400-050-0827(电话支持时间:9:00-18:30)。
查看更多
[信息与通信]电子电路基础第五章
* 第5章 半导体三极管及其应用 5.1 晶体三极管(简称晶体管或三极管) 一、晶体管的结构及图形符号 外部看有三个电极:发射极(e) 、基极(b) 、集电极(c) 内部看有两个PN结(发射结、集电结) NPN结构 图形符号 PNP结构 图形符号 二、晶体管的内部结构与电流放大作用 1、晶体管的内部结构特点 结构特点: ? 发射区的掺杂浓度最高; ? 集电区掺杂浓度低于发射区,且面积大; ? 基区很薄,一般在几个微米至几十个微米,且掺杂浓度最低。 管芯结构剖面图 三极管的放大作用是在一定的外部条件控制下,通过载流子传输体现出来的。 外部条件:发射结正偏,集电结反偏。 2、晶体管的内部载流子的运动规律(以NPN结构的晶体管为例) 1. 内部载流子的传输过程 发射区:发射载流子 集电区:收集载流子 基区:传送和控制载流子 (以NPN为例) 载流子的传输过程 (1)发射区向基区注入电子 由于发射结外加正向电压,因此这时发射区的多数载流子电子不断通过发射结扩散到基区,形成发射极电流IE,其方向与电子流动方向相反。 (2)电子在基区中的扩散与复合 由发射区来的电子注入基区后,在基区中形成了一定的浓度梯度。因此,电子就要向集电结的方向扩散,在扩散过程中又会与基区中的空穴复合,同时基区的电源VEE则不断从基区拉走电子,好像不断供给基区空穴。电子复合的数目与电源从基区拉走的电子数目相等,使基区的空穴浓度基本维持不变。这样就形成了基区电流IB,所以基极电流就是电子在基区与空穴复合的电流。 (3)集电区收集扩散过来的电子 集电极所加的是反向电压,这样集电结形成一个由集电区指向基区的电场,使集电区的电子和基区的空穴很难通过集电结,但这个电场对基区扩散到集电结边缘的电子却有很强的吸引力,可使电子很快地漂移过集电结为集电区所收集,形成集电极电流IC。 以上看出,三极管内有两种载流子(自由电子和空穴)参与导电,故称为双极型三极管。或BJT (Bipolar Junction Transistor)。 3、晶体管的内部的电流分配及其放大作用 电流分配规律: 2.96 2.37 1.77 1.16 0.57 IE/mA 2.91 2.33 1.74 1.14 0.56 IC/mA 0.05 0.04 0.03 0.02 0.01 IB/mA 实现这一传输过程的两个条件是: (1)内部条件:发射区杂质浓度远大于基区杂质浓度,且基区很薄。 (2)外部条件:发射结正向偏置,集电结反向偏置。 三极管实现放大电路的条件 NPN 管: UBE0 UBC0 即 VCVBVE PNP 管: UBE0 UBC0 即VCVBVE 4、晶体管的特性曲线 晶体管的特性曲线是用来描述各个电极之间的电压与电流关系 的曲线,是晶体管特性的外部表现,是选择和使用晶体管的依据 以晶体管共发射极电路的特性曲线为例加以说明 (1) 输入特性曲线的三个部分: ①死区 ②非线性区 ③线性区 饱和区:iC明显受vCE控制的区域,该区域内,一般vCE<0.7V(硅管)。此时,发射结正偏,集电结正偏或反偏电压很小。 iC=f(vCE)? iB=常数 2. 输出特性曲线 输出特性曲线的三个区域: 截止区:iC接近零的区域,相当iB=0的曲线的下方。此时, vBE小于死区电压。 放大区:iC平行于vCE轴的区域,曲线基本平行等距。此时,发射结正偏,集电结反偏。 BJT的主要参数 (1)共发射极直流电流放大系数 =(IC-ICEO)/IB≈IC / IB ? vCE=常数 1. 电流放大系数 (2) 共发射极交流电流放大系数? ? =?IC/?IB?vCE=常数 (2) 集电极发射极间的反向饱和电流ICEO ICEO=(1+ )ICBO 2. 极间反向电流 ICEO (1) 集电极基极间反向饱和电流ICBO 发射极开路时,集电结的反向饱和电流。 即输出特性曲线IB=0那条曲线所对应的Y坐标的数值。 ICEO也称为集电极发射极间穿透电流。 (1) 集电极最大允许电流ICM (2) 集电极最大允许功率损耗PCM PCM= ICVCE 2. 极限参数 (3) 反向击穿电压 ? V(BR)CBO——发射极开路时的集电结反 向击穿电压。 3. 极限参数
您可能关注的文档
- [信息与通信]WLAN及延伸系统规范口袋书.doc
- [信息与通信]wifimodII应用说明_20111006.pdf
- [信息与通信]V8_3宏指令.pdf
- [信息与通信]WO_106_C1 WCDMA无线网络关键性能指标KPI.doc
- [信息与通信]WLAN技术基础知识.ppt
- [信息与通信]WLAN基础讲解.ppt
- [信息与通信]WYJ-831A技术及使用说明书.pdf
- [信息与通信]XX县平安城市监控系统项目方案建议书-VISS-201104.pdf
- [信息与通信]YMC_驱动器使用说明书.pdf
- [信息与通信][达盛DM355开发板教程]构建TechvDM355的Linux调试环境.pdf
- 浙江省临海市白云高级中学2025届高三历史3月月考试题.doc
- 云南拾谷县第一中学2024_2025学年高二物理上学期10月月考试题.doc
- 2025版高考生物总复习第13讲基因的分离定律教案苏教版.doc
- 湖北省黄石实验高中2024_2025学年高一历史下学期期末考试模拟卷.doc
- 通史版2025版高考历史大一轮复习专题七近代化的曲折发展__中日甲午战争至五四运动前4第4讲从维新思想到新文化运动课后达标检测含解析新人教版.doc
- 2024年高考数学考试大纲解读专题04导数及其应用含解析文.doc
- 河南省许汝平九校联盟2024_2025学年高一语文上学期期末考试试题扫描版无答案.doc
- 江西省吉安市吉水县第二中学2024_2025学年高一历史上学期第二次月考试题.doc
- 北京市平谷区2025届高三政治一模考试试题含解析.doc
- 2025届中考物理第四讲物态变化专项复习测试无答案新人教版.docx
文档评论(0)