[信息与通信]集成电路工艺原理课件.ppt

参考书目 半导体器件物理与工艺 施敏 苏州大学出版社 微电子材料与制程 陈力俊 复旦大学出版社 芯片制造－半导体工艺制程实用教程 电子工业出版社 《集成电路制造技术-原理与实践》电子工业出版社 《超大规模集成电路技术基础》 电子工业出版社 《半导体器件基础》电子工业出版社 《硅集成电路工艺基础》 北京大学出版社 《芯片制造—半导体工艺制程实用教程》（第四版）， 电子工业出版社 /bbs/index.php半导体技术天地 / 集成电路教育网 课程成绩 30%：平时成绩（作业、出勤、课上表现、笔记:不定期抽查） 70%：期末考试 考试内容以上课ppt和作业为主 Explosive Growth of Computing Power IC在各个发展阶段的主要特征数据 Intel’s CPU Year of introduction Transistors 4004 1971 2,250 8008 1972 2,500 8080 1974 5,000 8086 1978 29,000 286 1982 120,000 386? processor 1985 275,000 486? DX processor 1989 1,180,000 Pentium? processor 1993 3,100,000 Pentium II processor 1997 7,500,000 Pentium III processor 1999 24,000,000 Pentium 4 processor 2000 42,000,000 Intel 公司第一代CPU—4004 1971 Intel 公司CPU—386TM Intel 公司最新一代CPU—Pentium? 4 集成电路的分类 器件结构类型 集成度 电路的功能 应用领域 按器件结构类型分类 双极集成电路：主要由双极型晶体管构成 NPN型双极集成电路 PNP型双极集成电路 金属-氧化物-半导体(MOS)集成电路：主要由MOS晶体管(单极型晶体管)构成 NMOS PMOS CMOS(互补MOS) 双极-MOS(BiMOS)集成电路：是同时包括双极和MOS晶体管的集成电路。综合了双极和MOS器件两者的优点，但制作工艺复杂。 1. 特征尺寸 (Feature Size) / （Critical Dimension） 特征尺寸定义为器件中最小线条宽度(对MOS器件而言，通常指器件栅电极所决定的沟道几何长度) 2. 晶片直径(Wafer Diameter) 为了提高集成度，可适当增大芯片面积。然而，芯片面积的增大导致每个圆片内包含的芯片数减少，从而使生产效率降低，成本高。采用更大直径的晶片可解决这一问题。晶圆的尺寸增加，当前的主流晶圆的尺寸为8吋，正在向12吋晶圆迈进。下图自左到右给出的是从2吋～12吋按比例画出的圆。由此，我们对晶圆尺寸的增加有一个直观的印象。 3.DRAM 的容量 RAM (Random-Access Memory)－随机存取存储器 分为动态存储器DRAM (Dynamic )和静态存储器SRAM(Static) ??? 中芯国际集成电路制造有限公司 ??? 上海华虹(集团)有限公司 ??? 华润微电子(控股)有限公司 ??? 无锡海力士意法半导体有限公司 ??? 和舰科技(苏州)有限公司 ??? 首钢日电电子有限公司 ??? 上海先进半导体制造有限公司 ??? 台积电(上海)有限公司 ??? 上海宏力半导体制造有限公司 ??? 吉林华微电子股份有限公司 ??? 飞思卡尔半导体(中国)有限公司 ??? 奇梦达科技(苏州)有限公司 ??? 威讯联合半导体(北京)有限公司 ??? 深圳赛意法半导体有限公司 ??? 江苏新潮科技集团有限公司 ??? 上海松下半导体有限公司 ??? 英特尔产品(上海)有限公司 ??? 南通富士通微电子有限公司 ??? 星科金朋(上海)有限公司 ??? 乐山无线电股份有限公司 ??? 炬力集成电路设计有限公司 ???中国华大集成电路设计集团有限公司 (包含北京中电华大电子设计公司等) ??? 北京中星微电子有限公司 ??? 大唐微电子技