[工学]测控电路第六章.ppt

* * * * * * * * * * * * * * * * 在运放中的表现形式。 * 在运放中的表现形式。 * * * 金属氧化物半导体场效应晶体管简称MOS-FET，又称绝缘栅型场效应晶体管，它与JFET一样都是电压控制型器件。MOS-FET用作开关时开关特性还不如JFET，主要是其导通电阻较大，而且随着控制电压和输入模拟电压的变化而变化。另外在模拟信号相等的情况下，MOS开关的控制电压比JFET的控制电压大。尽管如此，MOS开关的应用还是越来越广，其主要原因是易集成化。可把MOS开关集成在一块小的基片上，这样尺寸小，成本低。另外，MOS管的栅极与漏极之间，栅极与源极之间泄漏电流非常小，这对小信号传递也具有十分重要的意义。 * * * * * * * * * * * * 在实际的电容器中，电容器介质的偶极子及其界面极化的形成和消失都不可能瞬时实现，往往需要一定的时间，因而使电介质常数随信号频率和环境温度变化，不能视为常数。这样，实际电容器不能简单地看成一个理想电容，从实际效果看，它相当于一个复杂地阻－容网络。 * 若以恒压电源对实际电容充电，当充电时间尚未比最大阻－容支路地时间常数大很多时就将电源切断，则电容地吸附效应将使电容两端电压回落，然后才达到某个稳态值。 倘若充电时间比最大阻容支路地时间常数大得多，使每个阻容支路得电容都能充电到电源电压，然后切断电源并将电容短路，若短路时间不超过最大阻容支路得时间常数太多，则电容得吸附效应会使电容器两端电压回升，最后将稳定在某个固定值上。 由此可见，实际电容器两端的电压不仅与现在的外界条件有关，还与它过去的状态有关，这正是介质吸附效应的表现，它将带来运算误差并使起始条件不准。 目前的电容器产品中，聚苯乙烯电容，钽电容和聚碳酸脂电容有较高的泄漏电阻和教弱的介质吸附效应，故可用作积分电容，以便减小积分运算误差。 * * V为主开关，V1为隔离开关 当VC为高电平时，V和V1导通，电路采样， 当VC为低电平时，V和V1关断，电路处于保持。 此时，V的漏电流通过R流到运算放大器的输出端，由于漏电流很小，在R上的压降不超过10MV，所以V1的漏极与衬低间的电压很小。从图可以看出，V1的源极和衬底间底电压为运算放大器底失调电压，也是很小。在这种情况下，V1底漏电流大约减小两个数量级。可见，采用V1后能将V与存储电容隔离，一方面使V底漏电流不流经存储电容，另一方面又降低了V1的漏电流，从而提高了存储电容的保持精度。 * 在采样保持电路中，利用电容校正技术，不仅可以补偿开关管的漏电流，还可以补偿运算放大器的偏置电流的影响，常常能得到更高的保持精度。 当UC为高电平时，V1关断，V和V2接通，电路采样； 当UC为低电平时，V1接通，V和V2关断，电路保持； 在采样期间，N1和N2组成反馈回路，N1是误差放大器，只要输入和输出电压不等，负反馈作用就要对输出电压不断进行校正，直到两者相等为止。 由于主模拟开关V等处于反馈回路中，所以它的导通电阻RON以及N2的失调和漂移等因素对精度的影响被大大消弱。 可见，电路在采样期具有很高的精度。 在保持期，V1的接通可以避免N1处于开环状态。 V和V2的关断，将C和N2与外界隔离起来。这时，存储电容和反馈校正电容上的电压同时受到模拟开关和运算放大器输入偏置电流的影响。 N2同相端和反相端的输入偏置电流通常是匹配的，它们大小相等，方向相同，温度漂移也基本一样。另一方面，当V1接通，V和V2的栅源电压相等，两管的漏极电压也仅仅相差一个N2的输入失调电压，所以,V和V2的工作电压几乎一样；元件安装时，又使两管靠近，以保证它们有相同的工作温度；则当两管参数匹配时，它们的漏电流也基本一样。 这样：在存储电容和反馈电容的电容量相等时，同量的开关漏电流和放大器的偏置电流，将引起电容上电压的同量变化。存储电容两端的变化使输出电压下降多少，反馈校正电容两端的电压变化就使输出电压回升多少，结果输出电压基本不变，这些措施大约可使保持精度提高一个数量级以上。 * 上述电路速度不高的原因在于反馈回路包含了两只运算放大器，若将总反馈回路断开，减少时间常数的数目，并设法使主模拟开关V置于局部反馈回路中，如图所示，这样，既提高了速度，又降低了导通电阻的影响。 在采样期，UC为高电平，V2的导通使V和C置于N1的反馈回路中，所以C上的电压将等于输入电压而不受V的导通电阻的影响。 当然，V2导通也有导通电阻，但由于V2的漏电流和N1的偏置电流都很小，这个导通电阻上的电压降极小，V2导通电阻的影响可忽略不计。所以C的电压仍能非常精确地等于N1的反相端的电压。 与上图相比，由于未把N2包含在反馈回路中，虽然N2对速度的影响被排除了，但它的漂移和共模误差在采样期得不到校正，所以使采样误差增大。 在保