[工学]第3章 逻辑门电路1.pptVIP

三. 输入级和输出级的作用 TTL门电路输入端负载特性 a.当输出为低电平时的扇出数（灌电流负载） 最多能带能灌电流负载门数： NOL=IOL/IIL nIIL过大： 超过T3的集电极允许电流 应使 nIILIOL IIL、 IOL可由附录A查出(P504)，计算74LS系列 IOL :输出低电平电流 T3所允许的最大集电极电流 IIL：输入短路电流 VCC T4 T3 D Rc4 nIIL IIL IIL IIL b)当输出为高电平时的扇出数（拉电流负载） 最多能带拉电流负载的门数： NOH=IOH/IIH nIIH过大： 输出高电平不高 应使： nIIHIOH IIH、 IOH可由附录A查出，计算74LS系列 IOH :输出高电平电流 使输出保持“1”的最大IC4 IIH：高电平输入电流 VCC T4 T3 D Rc4 nIIH IIH IIH IIH * 第三章 逻辑门电路 前面：基本逻辑运算（逻辑门）做为黑匣子，只关心 输入、输出间的逻辑关系 本章：打开黑匣子，了解内部结构、工作原理，掌握外特性。 两大类结构逻辑门电路：TTL、CMOS 3.2 TTL逻辑门电路 3.2.1 BJT的开关特性 1、BJT的静态开关特性 -2V 0.3V 使发射结反偏或小于死区电压 iB ≈ 0 , iC ≈ 0 vCE ≈VCC 截止状态 开关断开 D C 3.2 TTL逻辑门电路 3.2.1 BJT的开关特性 1、BJT的静态开关特性 5V 较大正偏电压 0.2~0.3V iC≈ICS=VCC/RC iB IBS c、e间相当于一个受iB控制的开关 饱和状态 开关闭合 iC＝ICS≈ 很小，约为数百欧，相当于开关闭合 可变 很大，约为数百千欧，相当于开关断开 c、e间等效内阻 VCES ≈ 0.2~0.3 V VCE＝VCC－iCRc VCE ≈ VCC 管压降 且不随iB增加而增加 iC ≈ ?iB iC ≈ 0 集电极电流 发射结和集电结均为正偏 发射结正偏，集电结反偏 发射结和集电结均为反偏 偏置情况 工作特点 iB iB≈0 偏流条件 饱 和 放 大 截 止 工作状态 表3.2.1 NPN型BJT三个工作状态的特点 0 iB iC＝ICS≈ 2、BJT的动态开关特性 t O vI +VB2 -VB1 t O iC ICS 0.1ICS 0.9ICS tr td ts tf 上升沿和下降沿都有延时。 延迟时间 td 上升时间 tr 存储时间 ts 下降时间 tf 开通时间 关闭时间 ton toff VCC vI iC Rb RC vO T ①当BJT由截止到饱和导通需基区电荷积累时间—开通时间ton ②当BJT由饱和导通到截止需基区电荷消散时间—关闭时间toff BJT的转换过程需ton和toff的原因： 如欲↘ton ，加大正向基极电流； 如欲↘toff ，加大反向基极电流。 BJT基区存在电荷存储效应 总结： VCC vI iC Rb RC vO T 回忆： TTL电路 ①BJT 截止→饱和导通 开通时间ton ②BJT 饱和导通→截止 关闭时间toff 原因： BJT基区电荷存储效应 如欲↘ton ，加大正向基极电流； 如欲↘toff ，加大反向基极电流。 3.2.2 BJT反相器的动态性能 截止 放大 饱和 V1 V2 vO O vI 逻辑0 逻辑1 传输特性曲线 Rb A L Vcc Rc T vi vo ①当viV1时，T截止, vo≈+Vcc，输出高电平。 ②当viV2时，T饱和导通, vo=VCES≈0.2V，输出低电平。 ③当V1viV2时，T处于放大状态, vi 增大，v o减小， v o和 vi 呈近似线性关系 。 若vi的取值使BJT只工作于截止和饱和态，则 满足非门的逻辑关系，即 L=A 1 A L=A _ BJT反相器动态性能差，工作速度低，其原因有二： 3.2.2 BJT反相器的动态特性 Rb A L Vcc Rc T Vi Vo 1.BJT动态特性差 T 截止? 饱和导通 需 基区电子电荷存储时间 （开通时间） T 饱和导通?截止 需基区电子电荷消散时间 （关闭时间） 1）输出电压由低向高过渡 2）输出由高向低过渡 由以上两个原因，基本BJT反相器的动态特性不理想 充电过程延长了 vo 的上升时间 放电过程延长了 vo 的下降时间 2.考虑电容性负载在输出电平转换过程中的充、放电时间 τ充电=RCCL Rb CL Rc VCC vi vo Rb CL Rc VCC vi vo