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99年公务人员初等考试试题-公职王
公職王歷屆試題 (99 初等考)
99年公務人員初等考試試題
科 別:電子工程
科 目:電子學大意
關於CMOS反相器(Inverter)之功率消耗,下列敘述何者錯誤?
其動態功率消耗與頻率成正比
其動態功率消耗與負載電容成正比
其動態功率消耗與操作電壓一次方成正比
切換過程可能形成導通電流之功率消耗
當雙極性接面電晶體放大器工作在主動區(Active region)時,則:
| IC |=| IE |+| IB | | IE |=| IC |+| IB |
| IB |=| IE |+| IC | | IE |+| IC |+| IB |=0
一增強型N通道MOSFET作開關元件應用時,使其成短路(ON)狀態,則所外加偏壓VGS的
大小及電壓VDS的值為何?(Vt為臨限電壓(Threshold Voltage))
VGS <0;VDS =0 VGS =0;VDS =VDD
VGS >Vt ;VDS =0 VGS <Vt ;VDS =VDD
關於共基極(Common Base)放大器之敘述,下列何者正確?
放大器本身之輸入阻抗為高阻抗
放大器本身之輸出阻抗為低阻抗
作為電壓放大器時,輸出電壓與輸入電壓為反相放大
適合作為電流緩衝器
下列何者為振盪器之必要條件?
振盪器迴路增益≧1 振盪器迴路相位移=270°
振盪器迴路增益<1 振盪器迴路相位移=100°
一般矽質雙極性接面電晶體之基、射極電壓,在正常順向電壓工作情況下約為:
0.1V 0.7V 1.2V 2.4V
某單極點放大器的中頻電壓增益為40dB,高3dB頻率(Upper 3dB Frequency)為10kHz,
則其單增益頻率(Unity Gain Frequency)為若干Hz?
10k 100k 1M 10M
下列何種MOSFET只有在加入VGS >Vt >0時,才有通道存在?(Vt為臨限電壓)
空乏型P通道MOSFET 空乏型N通道MOSFET
增強型N通道MOSFET 增強型P通道MOSFET
對共集極(CC)電晶體電路,下列敘述何者正確?
電流放大率接近1,輸入阻抗小 電壓放大率接近1,輸入阻抗小
電流放大率接近1,輸入阻抗大 電壓放大率接近1,輸入阻抗大
串級(Cascade)放大器在中頻段工作時,為了使訊號在最後放大級之功率最大:
最後放大級之輸入電阻越大越好
最後放大級之輸入電阻越小越好
最後放大級之輸入電阻要等於前一級放大器之輸出電阻
前一級放大器輸出電阻要遠大於輸出放大級之輸入電阻
以BJT電晶體構成的數位電路和CMOS數位電路比較,主要的優點是:
輸入阻抗高 電晶體密度高 速度快 功率省
一個RS正反器,若在記憶狀態(即正反器的輸出狀態不改變)時,則R和S 端的輸入分別
為:
R=0,S=0 R=1,S=0
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