CreeCPM1200-0040B碳化硅功率MOSFET-Wolfspeed.PDF

V 1200 V DS I @ 25 ˚C 36 A CPM2-1200-0040B D R 40 mΩ 碳化硅功率MOSFET DS(on) TM C2M MOSFET技术 N沟道增强模式 特点 芯片平面图 • 全新C2M SiC MOSFET技术 • 低导通电阻下的高阻断电压 • 具有高阻斷電壓與低導通電阻 • 便于并联，易于驱动 • 雪崩耐受性强 • 抗闩锁效应 • 无卤素，符合RoHS规范 优势 • 更高的系统效率 • 更低的冷卻需求 • 更高的功率密度 • 更高的系统开关频率 应用 部件号 晶粒尺寸（毫米） • 太阳能逆变器 • 开关式电源 CPM2-1200-0040B 3.10 x 5.90 • 高压DC/DC转换器 • 充电器 • 电动机 • 脉冲电源应用 最大额定值 （除非另行指定，否则T = 25 ˚C） C 符号 参数 值 单位 测试条件 注 V 漏源电压 1200 V V = 0 V，I = 100 μA DSmax GS D V 栅源电压 -10/+25 V 绝对最大值 GSmax V 栅源电压 -5/+20 V 推荐工作值 GSop 60 VGS = 20 V ，TC = 25˚C I 连续漏极电流 A 注1 D 40 V = 20 V ，T = 100˚C GS C I 脉冲漏极电流 160 A 脉冲宽度t 受T 限制 D(pulse)