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利用CGSim对泡生法蓝宝石晶体生长工艺的数值模拟分析和优化.PDF

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利用CGSim对泡生法蓝宝石晶体生长工艺的数值模拟分析和优化

/products/CGSim/Kyropoulos_Sapphire/ 利用CGSim对泡生法蓝宝石晶体生长工 艺的数值模拟分析和优化 以下展示的是使用CGSim软件对泡生法生长无色蓝宝石晶体的 数值模拟结果。其中采用的独特的计算方法包括:在结晶区的 计算涉及到蓝宝石熔体的湍流、气体的层流、在半透明晶体的 辐射换热,包括边界上的镜面反射、内部吸收和散射。 数值模拟对于分析和优化晶体生长系统极为有效,因为它为我 们提供了通过观察或测量难以得到的信息,例如熔体内和生长 中的晶体内的温度分布。尝试采用一种简化的模型,无视晶体 的半透明性和熔体的流动,将给出不切实际的结晶前沿形状和 晶体/熔体界面温度梯度。在考虑蓝宝石的半透明性时,我们使 用文献[2]提出的离散传递法,解决在镜面菲涅尔边界的复杂区 域轴对称区域的辐射传输问题。 热交换法 泡生炉的整体传热受到 钼隔热层的数量和几何 参数的强烈影响。热屏 和其他绝缘块被固定在 炉体侧壁上方和底部 (见图1)。热屏设计的 目标是建立一个围绕坩 埚和生长晶体的最佳温 度分布热区。坩埚中的 温度分布将决定熔体的 流动结构并影响结晶前 沿形状,晶体周围部件 的温度也将影响结晶前 沿形状和晶体的热应力。 图1 泡生炉的整体热场 1 /products/CGSim/Kyropoulos_Sapphire/ 模拟验证 利用现有的实验数据对模拟进行了验证。模拟成功地再现 了实验中观察到的轮辐状模式,如图2所示。 图2 三维非稳态模拟预测的熔体自由表面温度分布(右)和实际熔 体表面照片(左,照片由Crystal Development Company, Moscow提供) 图3 (右图)示出通过模拟预测的结晶 形状与实验观察的一致性,表明模拟结 果准确反应了晶体和熔体中的温度和热 通量,这确保了对于在晶体中引起位错 的热应力的模拟预测。 工业应用实例 改进泡生炉的热区,以减少结晶前沿的热梯度,带来了更高的 产率和更好的晶体质量。 使用CGSim软件模拟,考虑炉体的几种不同结构[1] 。在最初 的结构,熔体流动有两个旋涡(模型1)。较大涡占据熔体的 核心区,较小涡在横向生长阶段靠近熔体自由表面,在圆柱形 生长阶段消失,如图4和图5 。 2 /products/CGSim/Kyropoulos_Sapphire/ 这种流动模式直接向结 晶前沿提供了高温热熔 体,导致液固界面大的 温度梯度。在考虑几个 改进的热区后,我们找 到一种单晶炉结构,能 够提供一个旋涡的熔体 (模型2 )流动结构。这 种流动使熔体在趋于结 晶前沿时逐渐降温。从 图4 改进前(a )和改进后(b )晶体中 而使结晶前沿的温度梯 的温度梯度、熔体和坩埚中的温度、 度下降达30 %。 以及熔体中的流场 图5 (右图)示出晶体形 状的演变:左为改进1, 右为改进2 改进前,晶体的上半部有 明确的晶体直径缩小区, 这可能是由于重熔或结晶 速度减慢造成。改进后, 主要的重熔区消失,如图 6所示。 图6 改进前和改进后的晶体生长形状(图片由 Monocrystal Inc.提供) [3] 3 /products/CGSim/Kyropoulos_Sapphire/ 作为改进后的模拟结果,晶体内的热应力和温度梯度也同 时下降。图7给出优化前和优化后的冯米塞斯应力分布的比 较。 图7 优化前(左)和优化后(右)的冯米塞斯应力分布 晶体质量的改进已经由实验证实。例如,对于接近重熔区 的晶圆样品的表

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