[工程科技]硅集成电路工艺.doc

硅集成电路工艺?1.1 硅衬底材料的制备 1.2 硅集成电路制造工艺 ???? 1.2.1 集成电路加工过程简介 ???? 1.2.2 图形转换（光刻与刻蚀工艺） ???? 1.2.3? 掺杂工艺（扩散与离子注入） ???? 1.2.4? 制膜 （制作各种材料的薄膜） 1.3 集成电路生产线 1.4 集成电路封装 1.5 集成电路工艺小结 1.6 集成电路的基本制造工艺 流程（见教材第1章） 本章参考资料 《硅集成电路工艺基础 》关旭东编著? 北京大学出版社 2003年10月 《半导体制造技术 》韩郑生等译 电子工业出版社 ?? 2004年1月 《微电子学概论》 张兴/黄如/刘晓彦 北京大学出版社 2000年1月 《微电子制造科学原理与工程技术》（第二版） 曾尝等译 电子工业出版社 2003年1月 《芯片制造-半导体工艺制程实用教程》（第四版）， ??? 赵树武等译，电子工业出版社 2004年10月 ????? 1.1 硅衬底材料的制备 ?????????? 任何集成电路的制造都离不开衬底材料-单晶硅。制备单晶硅有两种方法：悬浮区熔法和直拉法。 ?????????? 悬浮区熔法是在20世纪50年代提出看并很快被应用到晶体制备技术中。用这种方法制备的单晶硅的电阻率非常高，特别适合制作电力电子器件。目前悬浮区熔法制备的单晶硅仅占有很小的市场份额。 ??????????? 随着超大规模集成电路的不断发展，不但要求单晶硅的尺寸不断增加，而且要求所有的杂质浓度能得到精密控制，而悬浮区熔法无法满足这些要求，因此，直拉法制 备的单晶硅越来越多地被人们所采用。目前市场上的单晶硅绝大部分是采用直拉法制备得到的。拉晶过程，首先将预处理好的多晶硅装入炉内石英坩埚中，待抽真空 或通入惰性气体后进行熔硅处理。在熔硅阶段坩埚位置的调节很重要。开始时，坩埚位置很高，待下部多晶硅熔化后，坩埚逐渐下降至正常拉晶位置。熔硅时间不宜 过长，否则掺入熔融硅中的多晶硅会挥发，而且坩埚容易被熔蚀。待熔硅稳定后即可拉制单晶硅。所用掺杂剂可在拉制前一次性加入，也可在拉制过程中分批加入。 ?????????? 拉制气氛由所要求的单晶硅性质及掺杂剂性质等因素确定。拉晶时，籽晶轴以一定速度绕轴旋转，同时坩埚反方向旋转，大直径单晶硅的收颈是为了抑制位错大量地 从籽晶向颈部以下单晶延伸。收颈是靠增大提拉速度来实现的。在单晶硅生长过程中应保持熔硅液面在温度场中的位置不变，因此，坩埚必须自动跟踪熔硅液面下降 或上升。同时，拉晶速度也应自动调节以保持等直径生长。所有自动调节过程均由计算机控制系统或电子系统自动完成。 ?? 矽/硅晶圓材料（Wafer） 　??? 圓晶是制作矽半导体IC所用之矽晶片，狀似圓形，故稱晶圓。材料是「矽」， IC（Integrated Circuit）工厂用的矽晶片即為矽晶体，因為整片的矽晶片是單一完整的晶体，故又稱為單晶体。但在整体固态晶体內，眾多小晶体的方向不相，則為复晶體 （或多晶体）。生成單晶体或多晶体与晶体生長時的溫度，速率与雜質都有關系。 生长硅单晶炉示意图 ??? 1.2.1 集成电路加工过程简介 一、硅片制备（切、磨、抛） *圆片（Wafer）尺寸与衬底厚度： - 0.625mm￠￠- 0.4mm??????? 5￠￠3 -￠￠- 0.525mm???? 6￠￠4 0.75mm ?? 硅片的大部分用于机械支撑。 晶圆处理制程 ????? 晶圆处理制程之主要工作为在硅晶圆上制作电路与电子元件（如电晶体管、电容器、逻辑门等），为上述各制程中所需技术最复杂且资金投入最多的过程 ，以微处理器（Microprocessor）为例，其所需处理步骤可达数百道，而其所需加工机台先进且昂贵，动辄数千万一台，其所需制造环境为为一温 度、湿度与 含尘（Particle）均需控制的无尘室/超净间（Clean-Room），虽然详细的处理程序是随著产品种类与所使用的技术有关；不过其基本处理步骤 通常是晶圆先经过适当的清洗（Cleaning）之後，接著进行氧化（Oxidation）及沉积，最後进行显影、蚀刻及离子注入等反覆步骤，以完成晶圆 上电路的加工与制作。 前部工序的主要工艺 ? 晶圆处理制程（Wafer Fabrication；简称 Wafer Fab） ? 1. 图形转换：将设计在掩膜版(类似于照相底片)上的图形转移到半导体单晶片上 ? 2.? 掺杂：根据设计的需要，将各种杂质掺杂在需要的位置上，形成晶体管、接触等 ? 3. 制膜：制作各种材料的薄膜 集成电路工艺 图形转换： 光刻：接触光刻、接近光刻、投影光刻、电子束光刻 刻蚀：干法刻蚀、湿法刻蚀 掺杂： 离子注入???? 退火