半导体和绝缘材料.PDF

淀积 集成电路被制造出来，但薄膜精确来讲分为导体，半导 体和绝缘材料。通过显微镜，我们看到密集的线条、图案和 这些材料建造的结构。在这张用扫描电子显微镜拍摄的照片 中，我们看到了一下被制造在一层上的晶体管。这些晶体管 和其他电子设备是基本器件，在电路中控制电流流动。 大量的这种器件用于集成今天的电子产品，用于制造和集成 电路的原料包含元素或元素组合。虽然这些元素中的大多数 是作为气体被引入到制作工艺中的。但是，一些本来是液体， 一些是固体。选择这些材料，是由于它们能够生产出高质量 的导电和绝缘薄膜。导电材料比如金属，硅化物和合金，它 们对电流的阻碍比较小。低阻金属，比如铝、铜、钨,被用 作连接集成电路各个组成部分的导线。 绝缘材料阻碍电流流动。这些被称为是电介质且不导电 的材料，可以保持各区域电流彼此独立。它们也保护整个表 面不受潮湿，污染和物理损伤。半导体材料像硅和多晶硅， 当磷或硼之类杂质被掺入其中时，它们开始导通。薄膜被淀 积到晶圆表面上进行化学和物理反应，这利用了四种技术。 生长过程和化学气相淀积是化学反应过程。它们通过化 学反应可以生成新物质。旋转涂覆和物理气相淀积是物理过 程。它们通过物理变化实现状态的转化。无论是物理还是化 学淀积，淀积层的质量都取决于晶圆环境的适度控制以及所 用材料的纯度。在这个设备中，高纯度的液态氧、氮和氩被 生产出来，以供半导体行业使用。这些商业用气被装载到拖 车上，然后直接运送到工厂的储存罐中。高纯度的液氧和液 氩也可以通过高压密封被运送给使用者。而气态氮气大多数 通过地下管道输送给半导体行业。从这些设备出发，这些管 道延伸超过 75 公里，到达位于硅谷的用户。这些气体和液 体是从空气中提取出来的，空气环境中大约 78% 的氮气、21% 氧气，不到 1%氩气。二氧化碳 ，氦，水蒸气，和其它化合 物作为微量元素而存在。空气被放到这些大型压缩机里，它 压缩、膨胀然后蒸馏成为分离的元素，液态的被储存到低气 压罐，气态氮则沿着这些管道运送。这些管子连接到地下的 运输管道，它们的表面是长达千里的半导体设备。在这里氮 气在使用前被进一步提纯。 若要知道原材料是如何被淀积到晶圆表面成为薄膜，让 我们回到洁净室，近距离 的看一下在一个简单的CMOS 晶体 管内部硅的 “旅程” 。从宽泛多样 的选择中选出最好 的原 材料依赖于加工过程、设备和薄膜类型。薄膜材料类型可以 不深加考虑，但相应的薄膜性能必须考虑。应力方向的拉伸、 层是否可以运用在晶圆上、膜对晶圆表面的粘着能力、膜的 构成或化学组成、膜与邻近层的化学兼容性、所有后继的过 程、膜平整淀积在晶圆上的能力、以及哪种材料更易于淀积。 当这些晶片被清洗之后,它们准备好开始淀积第一层：一 层薄绝缘层。在所有可用的绝缘材料中，最常用于第一层的 是二氧化硅。在这个竖直的熔炉里,氧以纯氧气或者水蒸气 的形式被引入。硅直接来 自于晶圆的表面, 这些晶圆被放置 在两个大型石英舟下方 。这些晶片被缓慢地移动到半竖直的 熔炉里, 以使晶圆适应高温 。在 850-1000 摄氏度时，纯氧 或水蒸气也从熔炉的顶端生成，没反应的气体会在熔炉的底 部消耗完 。当氧气分子或水分子到达硅晶片表面时，他们会 获得足够的热能打破晶界的束缚而分解 。氧和表面硅分子结 合产生二氧化硅，而副产物——氢气则逸出熔炉 。氧化速率 深受晶片温度和氧化时间的影响 。当氧气的浓度较高时，硅 的氧化层增长只能和打破硅晶界的速度一样快 。这严重受温 度影响，温度越高，氧化速率越快 。为了保护晶圆表面一致 的氧化层，反应室的温度要严格控制。保证所有 晶圆持续一 致的厚度是重要 的，无论是对单个，分批甚至对每一个过程 来说 。这个确保了一致的表面电气特性，包括所有过程中的 所有晶圆。一些电气性质需要良好的绝缘膜，一个受控的介 电常数决定了储存在导电层的电荷数 目。承载最高电压的能 力 以及对杂质的较低吸引力也许可以储存额外 电荷 。 二氧化硅是高质量玻璃状的绝缘体。在贯穿整个过程 的时间里，它被用来保护硅基片转化成电绝缘区域。在光刻、 离子注入和扩散金属 N 阱之后，被注入离子的二氧化硅薄层 刻蚀完毕，一个新层重新长出。为了阻止这个新生的层继续 生长，同时为了保护即将淀积晶体管的区域，氮化硅绝缘层 被淀积，利用化学气相淀积法