半导体激光器薄片激光器飞秒光纤激光器在材料加工领域和太阳能.PDF

半导体激光器 薄片激光器 飞秒光纤激光器在材料加工领 域和太阳能电池领域的应用 关键词：金属穿孔卷绕激光器、发射极穿孔卷绕激光器、激光烧制接触激光器、SiN / SiO 层掺杂、MWT 激光、EWT 激光、LFC 激光、硅太阳能电池激光设备、薄膜太阳能电池激 光设备、太阳能电池薄片激光器、激光焊接、激光打孔、飞秒激光加工、薄片激光器材料加 工、高功率飞秒光纤激光器、固体激光器材料加工、激光熔融、激光熔覆、薄片激光器、飞 秒光纤激光器、频率脉宽可独立调制 太阳能电池加工（硅太阳能电池） 在硅太阳能电池领域，激光加工在金属穿孔卷绕（MWT ）、发射极穿孔卷绕（EWT ）、 激光烧制接触、SiN / SiO 层掺杂方面发挥了重要作用； 金属穿孔卷绕、发射极穿孔卷绕：最高20000 个孔/秒，孔直径20~60 μm ，3~4 个脉冲 /孔。 激光烧制接触：最高15000 接点/秒，接点尺度50~80 μm ，1 个脉冲/接点。 SiN / SiO dielectric layer opening：最高100000 接点/秒，熔接直径20~70 μm ，1 个脉冲 /接点。（更多半导体激光模块知识可参见深圳顶尖（科仪）的博客） 在薄膜太阳能电池领域，复合物薄膜和基底有多种选择，对于每一种不同的组合所用到 的激光加工工艺都是不同的，下面以几个典型的结构为例进行介绍。 a-Si / CdTe type solar cells ：结构为玻璃/TCO/发射层/金属，接触点p1 和p3 层。激光器 选用JenLas® fiber ns 10-4 。 CIGS type solar cells ：结构和a-Si / CdTe type 相反。发射极加工：JenLas® fiber ns 10-40 或JenLas® D2.fs 。 JenLas® disk IR50 是45W 的红外声光调Q 薄片激光器，具有非常好的光束质量，特别 适合于各种工业上的微加工。 JenLas® disk IR50 / JenLas® disk IR70 1、波长1030nm， 2 、声光调Q 3、平均功率 45W/65W 4 、宽脉冲宽度，200~2000ns/650~1600ns 可调 5、快速，重复频率8~30kHz （高级模式最大100kHz）， 6、单脉冲能量高达5/7mJ @8kHz 7、光束质量好M²1.2 JenLas® mopa N35 1、基本同上 2 、固态二极管泵浦调Q 激光器，功率35W 3、波长1064nm 4 、重复频率30~150kHz 0.2mJ @150kHz 5、OEM 设计，运行费用低 6、稳定性 8h ±3% JenLas® disk G80/G100 1、调Q 倍频薄片激光器，功率达70W/85W 2 、波长515nm 3、重复频率最高达10~25/25~100kHz 4 、300~1000ns 5、单脉冲能量高达8 mJ 6、无水腔体、被动冷却 7、OME 设计 JenLas® D2.fs （飞秒） 1、二极管泵浦固态飞秒激光器 1025nm 2 、红外波段 3、脉宽 400fs 4 、重复频率最高达30~200 kHz 5、平均功率4W ，能量高达40 μJ@100 kHz ，20 μJ@200 kHz 2 6、光束质量好M 1.25 JenLas® fiber ns 10-40 JenLas® fiber ns 10-40 1、空气冷却纳秒光纤激光器 1062nm 2 、红外波段，功率10~40W，峰值能量最高20kW 3、脉宽可调 9~200/250ns 4 、重复频率高达500 kHz，1MHz(单模) 5、脉冲能量高达1.25mJ 6、脉冲一致性好 JenLas® fiber cw 50-400 1、高功率连续光纤激光器 1070nm 2 、红外波段，50~400W 2 3、基膜光束质量 M 1.1 4 、cw 模式或脉冲模式100 kHz 5、有空气冷却和水冷方式可选 应用：不仅能够用于材料的切割和焊接，而且还可以用于标记、钻孔和退火等材料加工 过程。