单颗粒ICP-MS测定化学-机械整平中使用的元素氧化物纳米颗粒悬浮物.PDFVIP

应 用 文 章 ICP - Mass Spectrometry 作者: Lee Davidowski Chady Stephan PerkinElmer, Inc. Shelton, CT 单颗粒ICP-MS测定 化学-机械整平中使用的 元素氧化物纳米颗粒 引言 本研究概述了定量和表征纳 悬浮物的特性 米元素氧化物纳米颗粒（氧 化铝和氧化铈），这些常用 于纳米电子学和半导体制造行业中化学机械 半导体表面的平 - (CMP) 整。CMP是一个结合了化学和机械外力平滑平面的过程，此步骤为光 刻作准备。 在半导体元器件制造中，CMP过程使用各种元素氧化物悬浮物和压 力，使化学和机械地抛光硅晶片。为降低电子设备尺寸和改善制造过 程的产量，现在所使用的CMP悬浮物由纳米颗粒组成。 CMP悬浮物纳米粒子的尺寸分布特征，以及大颗粒的辨 为确保一次只检测一个单颗粒，样品中必须稀释，达到 别，是光刻过程的质量控制的重要方面，可能会影响到 颗粒之间分辨出目的。质谱仪必须能够有较快的测量速 硅晶片的质量。单颗粒模式 （ ）是分 度，以确保能够检测到在 纳米颗粒的瞬时信号， ICP-MS SP-ICP-MS 50nm 析金属纳米粒子的最有前途的技术之一。由于具有测量 该信号变化的平均时间为 和 之间，这与仪器操 300 500µs 可溶分析物浓度和单个纳米粒子， 是一种用于 作参数和离子透镜系统相关 （图 和 ）。 ICP-MS 1 2 分析半导体工业领域中各种分析物的最理想仪器。 S P- IC P- MS 中的这种速度需求称为 “瞬时数据采集速 由于具有高灵敏度，容易操作性，和分析速度快，SP- 度”，指仪器每秒能够采集的单个质量的数据点个数。 IC P- MS成为测定无机纳米粒子流行的方法。该技术 仪器能够提供越快的瞬时数据采集速度，对于SP-ICP- 中，纳米粒子引入等离子体中被完全电离，随后离子被 MS测试越好。珀金埃尔默NexION 350 ICP-MS单颗粒操 质谱仪检测。信号强度与颗粒尺寸有关；因此SP-ICP- 作模式能够采集连续数据，无需设置定位时间，每秒钟 可为用户提供颗粒浓度 （颗 ），尺寸大小和尺寸 获取高达100 000个数据点。