[理学]04模电--场效应管放大电路康华光.pptVIP

　　另一种结构（结构以ＮＨＪＦＥＴ为例） 场效应管与晶体管的比较 ４.３－４.４绝缘栅型场效应管及其放大电路 ４.３金属－氧化物－半导体场效应管　　————绝缘栅场效应管 2. 耗尽型绝缘栅场效应管 . . . 耗尽型 3. 场效应管的主要参数 场效应管与晶体管的比较 　４.４场效应管放大电路 16.11.3 场效应管放大电路 1.自给偏压式偏置电路 (2) 动态分析 结型场效应管（ＪＦＥＴ）的符号和转移特性曲线 提示：“金属－氧化物－半导体场效应管”（—绝缘栅场效应管—ＭＯＳ场效应管）的结构和转移特性曲线 电流控制 电压控制 控制方式 电子和空穴两种载 流子同时参与导电 载流子 电子或空穴中一种 载流子参与导电 类 型 NPN和PNP N沟道和P沟道 放大参数 rce很高 rds很高 输出电阻 输入电阻 较低 较高 双极型三极管 单极型场效应管 热稳定性 差 好 制造工艺 较复杂 简单，成本低 对应电极 B—E—C G—S—D 结　束 场效应晶体管是利用电场效应来控制电流的一种半导体器件，即是电压控制元件。它的输出电流决定于输入电压的大小，基本上不需要信号源提供电流，所以它的输入电阻高，且温度稳定性好。 结型场效应管 按结构不同场效应管有两种: 绝缘栅型场效应管 本节仅介绍绝缘栅型场效应管 按工作状态可分为：增强型和耗尽型两类 每类又有N沟道和P沟道之分 漏极D 栅极和其它电极及硅片之间是绝缘的，称绝缘栅型场效应管。 金属电极 (1) N沟道增强型绝缘栅场效应管的结构 栅极G 源极S 1. 增强型绝缘栅场效应管 SiO2绝缘层 P型硅衬底 高掺杂N区 G S D 符号： 由于栅极是绝缘的，栅极电流几乎为零，输入电阻很高，最高可达1014? 。 漏极D 金属电极 栅极G 源极S SiO2绝缘层 P型硅衬底 高掺杂N区 由于金属栅极和半导体之间的绝缘层目前常用二氧化硅，故又称金属-氧化物-半导体场效应管，简称MOS场效应管。 (2) N沟道增强型绝缘栅场效应管的工作原理 EG P型硅衬底 N+ N+ G S D + – UGS ED + – 由结构图可见，N+型漏区和N+型源区之间被P型衬底隔开，漏极和源极之间是两个背靠背的PN结。 当栅源电压UGS = 0 时，不管漏极和源极之间所加电压的极性如何，其中总有一个PN结是反向偏置的，反向电阻很高，漏极电流近似为零。 S D EG P型硅衬底 N+ N+ G S D + – UGS ED + – 当UGS 0 时，P型衬底中空穴在电场力作用下向下运动，在表层形成由负离子构成的耗尽层；P型衬底中的自由电子在电场力作用下向上运动到达表层，填补耗尽层，迫使耗尽层向下移动。 N型导电沟道 在漏极电源的作用下将产生漏极电流ID，管子导通。 当UGS UGS（th）时，将出现N型导电沟道，将D-S连接起来。UGS愈高，导电沟道愈宽。 开启电压UGS(th）：在漏–源电压UDS一定的条件下，使管子由不导通变为导通的临界栅源电压称为开启电压UGS(th）。 EG P型硅衬底 N+ N+ G S D + – UGS ED + – N型导电沟道 当UGS ? UGS(th）后，N沟增强型绝缘栅场效应管才能形成N型导电沟道，开始导通，若漏–源之间加上一定的漏–源电压UDS，则产生漏极电流ID。在UDS一定的条件下，漏极电流ID的大小与栅源电压UGS大小有关。其关系是正向变化关系，所以，场效应管是一种电压控制电流的器件。 在漏–源电压UDS一定的条件下，使管子由不导通变为导通的临界栅源电压称为开启电压UGS(th）。 (3) 特性曲线 有导电沟道 转移特性曲线 无导电 沟道 开启电压UGS(th） UDS UGS/ ID/mA UDS/V o UGS= 1V UGS= 2V UGS= 3V UGS= 4V 漏极特性曲线 恒流区 可变电阻区 截止区 N型衬底 P+ P+ G S D 符号： 结构 (4) P沟道增强型绝缘栅场效应管 SiO2绝缘层 栅源极间加反向电压，且反向电压大小 一定要大于开启电压大小时才能够形成 P型 导电沟道。 P沟增强型绝