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薄膜制备技术－ CVD沉积技术 1.化学气相沉积(CVD) 化学气相沉积(Chemical Vapor Deposition, CVD)是与物理气相沉积(Physical Vapor Deposition, PVD)相对应的薄膜制备方法，在制备半导体、氧化物、氮化物、碳化物等薄膜材料制备中得到了广泛应用，是一种化学薄膜制备技术。 1. 化学气相沉积(CVD) CVD是把含有构成薄膜元素的一种或几种化合物(Si膜，化合物SiH4；C膜，化合物CH4)、单质气体(H2)供给基片，借助外界供给的能量在基片表面发生化学反应和相变生成要求的薄膜。 1.1 CVD的化学反应 CVD是通过一个或多个化学反应得以实现的，涉及到反应化学、热力学、动力学、输运现象、CVD及薄膜的生长等。其反应方式有很多种，见下表。 1.1 CVD的化学反应 CVD反应有以下特点 ①在中温或高温下，通过气态的初始化合物之间的气相化学反应而沉积固体。 ②可以在大气压(常压)或者低于大气压下(低压)进行沉积。一般来说低压效果要好些。 1.1 CVD的化学反应 ③采用等离子体或激光辅助技术可以显著地促进化学反应，使沉积可在较低的温度下进行。 ④沉积层的化学成分可以改变，从而获得梯度沉积物或者得到混合沉积层。 1.1 CVD的化学反应 ⑤绕镀性好，可在复杂形状的基体上及颗粒材料上沉积。 ⑥可以形成多种金属、合金、陶瓷和化合物沉积层。 1.2 热CVD的原理和方法 用CVD法制备薄膜材料是通过加热的方式赋予原料气体以不同的能量使其产生各种化学反应，在基片上析出非挥发性的反应产物，故通常称为热CVD。CVD反应室结构及加热方式见下图。 CVD反应室结构 1.2 热CVD的原理和方法 CVD的机理是复杂的，原因是由于反应气体中不同化学物质之间的化学反应和向基片的析出是同时发生的缘故。在CVD中的析出过程可以理解如下： 1.2 热CVD的原理和方法 ①原料气体向基片表面扩散；②原料气体吸附到基片；③吸附在基片上的化学物质的表面反应；④析出颗粒在表面的扩散；⑤产物从气相分离；⑥从产物析出区向块状固体的扩散。 1.2 热CVD的原理和方法 利用CVD生长法，可制备半导体、氧化物、氮化物、碳化物、硼化物、复合氧化物等多种薄膜。以Si为例，化学气相沉积过程常使用的气源为SiCl4，SiHCl3，SiH2Cl2和SiH4，它包含的热解过程和还原过程有： 1.2 热CVD的原理和方法 SiH4(g) → Si(s) +2H2(g) (热分解) SiCl4 (g) +2H2 (g) → Si (s) +4HCl (g) (氢还原) 等。 1.2 热CVD的原理和方法 1.3 等离子体增强化学气相沉积 化学气相沉积方法的发展： 1.等离子体增强化学气相沉积(PECVD) 2.激光化学气相沉积(LCVD) 3.超声波化学气相沉积(UWCVD) 4.金属有机化学气相沉积(MOCVD) 5.电子回旋共振化学气相沉积(ECRCVD) 1.3 等离子体增强化学气相沉积 PECVD分为微波等离子体增强(WPECVD)和射频等离子体增强(RFPECVD)两种。与热CVD法不同，PECVD是在辉光放电引起的等离子体作用下进行化学气相沉积。由于借助等离子体的作用，使得这种沉积过程具有一些新的特点。 1.3 等离子体增强化学气相沉积 由于PECVD使原料气体等离子化，生成化学性活泼的离子、原子、原子团等，因而可以在低温下(250－350℃)生成薄膜。这就使得热损失少，抑制了与衬底物质的反应，并可在非耐热衬底上生长薄膜。 1.3 等离子体增强化学气相沉积 CVD反应： C(g)+D(g)→(加热)A(s) +B(g) PECVD反应： C(g)+D(g)→(等离子体)A(s) +B(g) 1.3 等离子体增强化学气相沉积