工艺导致的机械应力对深亚微米CMOS器件的影响-物理学报.PDF

第 卷 第 期 年 月 物 理 学 报 ) ) %%* ) ， ， ， UB8 /) TB /) 2V8: %%* （ ） !%%%4#(%P%%*P) %) P’’()4!! Q+HQ MRS.I+Q .ITI+Q %%* +@7F / M@:= / .B / !!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!! 工艺导致的机械应力对深亚微米 !#$ 器件的影响 ））） ） 李 睿! # $ 王庆东# !）（中国科学院上海微系统与信息技术研究所，上海 %%%% ） ）（中国科学院研究生院，北京 !%%%’( ） # ）（上海宏力半导体制造有限公司，上海 %!%# ） （ 年 月 日收到； 年 月 日收到修改稿） %%) * !) %%) * #% 随着+,-. 器件的不断微缩，硅有源区面积的缩小，工艺导致的机械应力对器件的影响越来越显著，许多工艺 步骤会造成有源区应力的累积 应力不仅导致器件性能对版图产生依赖性，而且带来各种可靠性问题，影响芯片的 / 长期使用寿命 在很多情况下，应力相关的问题直接影响芯片制造的良率 在总结各种应力来源的基础上，回顾了 / / 到目前为止人们所观察或理解的应力对+,-. 器件性能和可靠性的各种影响，提出了分析和解决工业生产中应力 相关问题的基本思路/ 关键词：机械应力， +,-. ： ， ， %!! )#’%0 )#%% )#1%2 除了 工艺，其他 制造过程中的许多 .HI +,-. !C 引 言 步骤也会造成有源区域的应力，例如薄膜沉积过 ［］ ［］ 程’ ，硅化物（ ）形成过程 ，掺杂（ ）过