最常使用之晶圆表面清洁步骤为湿式化学法.PDF

: (wet chemistry) 1980 年 論 : 路 (ULSI)度(Cleanliness) 良率 (Yield) (Quality)度(Reliability) 益精 (Devices)度更精 來度 ULSI 度 : 來 來粒(Particle) (Organic) 金 離(Metal -Ions) ULSI (Gate Oxide)度 降 量 度(Micro-roughness) (Native Oxide) (Device)(Ultra-Thin Gate Oxide) 參數(Electrical Parameters and Characteristics) 度 列 類 ( DI ) 粒 Piranha(SPM) 硫 //DI H2SO4/H2O2/H2O SC-1(APM) / NH4OH/H2O2/H2O /DI SC-1(APM) / NH4OH/H2O2/H2O /DI SC-2(HPM) / HCl/H2O2/H2O /DI 金 Piranha(SPM) 硫 / H2SO4/H2O2/H2O /DI DHF / (不 HF/H2O ) DHF / HF/H2O (不 ) BHF NH4F/HF/H2O 1. 粒 Particle) 粒mask 粒 (pattern defect) 粒 MOSFET 不 度 更 粒金度不粒 金理更 不良 2.金 不 金 不金 離金 金 不 劣漏 流(leakage current) 不 (Flat Band) .. 3. (1) H2SO4/H2O2 留 NH3 粒 狀 Cl NH3 NH4Cl 不良 .. (2) 降 4.Native Oxide) 5.度(Miroroughness) 度不良 率劣 RCA 行 RCA (RCA Clean) 1960 年 RCA Kern Puotinen RCA 兩不 1(SC-1) 2(SC-2) 1(standard clean 1)NH4OH/H2O2/H2O 例1:1:5 1:2:7 度75~85 10~20 2 (standard clean 2)HCl/H2O2/H2O 例 1:1:6 1:2:8 度75~85 10~20 路 (Integrated Circuits) (Pattern) (Etching)(Lithography) 路 了 利行 來 良 不 量度(Throughput) 利 來行 路 切(Undercut) 不