无机材料科学基础第三章晶体结构缺陷演示课件.ppt

（2）热缺陷浓度与温度的关系 对于某种特定材料： 温度一定，热缺陷浓度一定； 随温度升高，热缺陷浓度呈指数增加。 （3）点缺陷形成与晶体结构的关系 晶体结构中空隙较小，且正、负离子半径相差较小 → 肖氏缺陷 如，NaCl型：NaCl、MgO、CaO等。 晶体结构中空隙较大，且正、负离子半径相差较大 → 弗氏缺陷 如，金属晶体中：简单立方、体心立方； 离子晶体中：CaF2型结构。 Schttky缺陷的形成能量小，Frankel 缺陷的形成能量大，因此对于大多数晶体来说，Schttky 缺陷是主要的。 从形成缺陷的能量来分析—— （4） 点缺陷对结构和性能的影响 点缺陷引起晶格畸变(distortion of lattice),能量升高，结构不稳定，易发生转变。 点缺陷的存在会引起性能的变化： (1)物理性质、如V、ρ 等； (2)力学性能：采用高温急冷(如淬火 quenching),大量的冷变形(cold working),高能粒子辐照(radiation)等方法可获得过饱和点缺陷，如使屈服强度σS提高； (3)影响固态相变,化学热处理(chemical heat treatment)等。 （5）热缺陷与晶体的离子导电性 纯净MX晶体：只有本征缺陷（即热缺陷） 能斯特－爱因斯坦（Nernst-Einstein）方程： 式中 D —— 带电粒子在晶体中的扩散系数； n —— 单位体积的电荷载流子数，即单位体 积的缺陷数。 下标c、a —— 阳离子、阴离子 综上所述，晶体的离子电导率取决于晶体中热缺陷的多少以及缺陷在电场作用下的漂移速度的高低或扩散系数的大小。通过控制缺陷的多少可以改变材料的导电性能。 2 杂质缺陷 概念——杂质原子进入晶体而产生的缺陷。原子进入晶体的数量一般小于0.1%。 种类——间隙杂质 置换杂质 特点——杂质缺陷的浓度与温度无关， 只决定于溶解度。 存在的原因——本身存在 有目的加入(改善晶体的某种性能) 3 非化学计量结构缺陷（电荷缺陷） 存在于非化学计量化合物中的结构缺陷，化合物化学组成与周围环境气氛有关；不同种类的离子或原子数之比不能用简单整数表示。如： ; 非化学计量缺陷 电荷缺陷 价带产生空穴 导带存在电子 附加 电场 周期排列不变 周期势场畸变 产生电荷缺陷 二、缺陷化学反应表示法 用一个主要符号表明缺陷的种类 用一个下标表示缺陷位置 用一个上标表示缺陷的有效电荷 如“ . ”表示有效正电荷; “ / ”表示有效负电荷; “×”表示有效零电荷。 用MX离子晶体为例（ M2＋ ；X2－ ）： （1）空位： VM 表示M原子占有的位置，在M原子移走后出现的空位； VX 表示X原子占有的位置，在X原子移走后出现的空位。 1. 常用缺陷表示方法：（Kroger-Vink符号） 把离子化合物看作完全由离子构成（这里不考虑化学键性质），则在 NaCl晶体中，如果取走一个Na+ 晶格中多了一个e, 因此VNa 必然和这个e/相联系，形成带电的空位—— 写作 同样，如果取出一个Cl－ ,即相当于取走一个Cl原子加一个e，那么氯空位上就留下一个电子空穴(h. )即 （2） 填隙原子：用下标“i”表示 Mi 表示M原子进入间隙位置； Xi 表示X原子进入间隙位置。 （3）错放位置（错位原子）： MX 表示M原子占据了应是X原子正常所处的平衡位置，不表示 占据了负离子位置上的正离子。 XM 类似。 （4）溶质原子（杂质原子）： LM 表示溶质L占据了M的位置。如：CaNa SX 表示S溶质占据了X位置。 （