传输函数项谱仪对特定动能电子检测的能力.PPT

第6章 定量分析和深度剖析方法 定量分析方法 深度剖析方析 深度剖析实例 深度剖析 一多层半导体材料(Ti,W合金/钛硅化物/硅) 用XPS溅射剖析进行分析。 溅射过程中应用了样品转动技术来优化深度分辨。使用Thermo VG 的高级NLLFS产生剖析图。 【例】XPS depth profile of multilayer Ni/Cr/CrO/Ni/Cr/Si 在半导体微电子器件中需要有金属引出电极，理想的电极材料为金，但是金与半导体硅之间存在严重的互扩散，为此必须制作有过渡夹层的多层膜材料来实现。如Au/Cr/Si多层膜系统。由于电子器件在使用过程中不可避免地会发热，所以这样制作出的器件必须要经过可靠性老化试验。 【例】金属化系统Au/Cr/Si界面反应的研究 建筑玻璃镀层(Coating)的深度剖析 思考题 定量分析结果受哪些因素影响？ 深度剖析的方法和影响因素有哪些？ 深度剖析的方法有哪几种？各有何应用？ 6.1、定量分析方法 在表面分析研究中我们不仅需要定性地确定试样的元素种类及其化学状态，而且希望能测得它们的含量。对谱线强度作出定量解释。 XPS由于其对均相固体材料容易得到极好的定量精确性，常用于获取实验式。 XPS定量分析的关键是要把所观测到的信号强度转变成元素的含量，即将谱峰面积转变成相应元素的含量。这里我们定义谱峰下所属面积为谱线强度。 实用XPS定量方法可以概括为标样法，第一性原理模型和元素灵敏度因子法。 标样法需制备一定数量的标准样品作为参考，且标样的表面结构和组成难于长期稳定和重复使用，故一般实验研究均不采用。 目前XPS定量分析多采用元素灵敏度因子法。该方法利用特定元素谱线强度作参考标准，测得其它元素相对谱线强度，求得各元素的相对含量。 6.1.1、第一性原理模型(First Principle Model) 从光电子发射的“三步模型”出发，将所观测到的谱线强度和激发源，待测样品的性质以及谱仪的检测条件等统一起来考虑，形成一定的物理模型。 由于模型涉及较多的因素，目前还缺乏必要精度的实验数据，因此一级原理模型计算还未得到真正应用。 其中: Iij为i元素j峰的面积，K为仪器常数，T(E)为分析器的传输函数，Lij(?)是i元素j轨道的角不对称因子，?ij为表面i元素j轨道的的光电离截面，ni(z)为表面i元素在表面下距离z处的原子浓度，?(E)为光电子的非弹性平均自由程，θ是测量的光电子相对于表面法线的夹角。 6.1.2、元素灵敏度因子法 原子灵敏度因子--由标样得出的经验校准常数。 该方法利用特定元素谱线强度作参考标准，测得其它元素相对谱线强度，求得各元素的相对含量。 元素灵敏度因子法是一种半经验性的相对定量方法。 对于单相均匀无限厚固体表面: 因此， 式中Sij=K?T(E)?Lij(?)??ij??(E)cos? ? T(E)??ij??(E) 定义为原子灵敏度因子，它可用适当的方法加以计算，一般通过实验测定。可取SF1s=1作为标准来确定其它元素的相对灵敏度因子。 ni ∝ Iij / Sij =Ni (1)、原子百分数的计算 归一化面积(NA)由谱峰面积(IA)来计算 NA = IA / Si 因而样品中任一元素的相对原子浓度由下式算出: 1 1 3 (2)、灵敏度因子 灵敏度因子(归一化因子)包括下面几项: X射线电离截面项(特定跃迁将产生多少光电子) 分析深度项(并入l值中) 传输函数项(谱仪对特定动能电子检测的能力) 不同仪器得出的灵敏度因子之间的归一化(比如 CMA和HAS之间 ) 1 1 3 元素的相对灵敏度因子 1s 2p 3d 4d 4f (3)、原子浓度的计算方法 由两不同的数据库计算的归一化面积为: Scofield NA = Peak Area/SF(Scofield) x E0.6 x TF Wagner NA = Peak Area/SF(Wagner) x E x TF 因而给出原子浓度: 1 3 6.1.3、定量精确度和误差来源 1 1 3 使用原子灵敏度因子法进行定量分析： 在优化条件下，对每个主峰从ＸＰＳ主峰计算的原子百分数值的定量精确度为 90-95%。若使用高水平质量控制规程，精确度能进一步改善。 在常规工作条件下，材料表面混合有污染物，报告的原子百分数值定量精确度为80%~90%。 以XPS弱峰（其峰强度为最强峰的10-20%）的定量精确度是其真值的 60-80%，并依赖于改善信噪比的努力程度。 对于任一元素选择具有最大原子灵敏度因子的最强峰定量以最大化检测灵敏度和精确度。 定量精密度（重复测量并得到相同结果的能力）是正确报告定量结果的基本考量。95%的置信度是可认为有效的。XPS在一般情形下定量精密度优