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第七章 半导体存储器 7.1 概述 7.2 只读存储器（ROM） 7.3 随机存储器（RAM） 7.4 存储器容量的扩展 7.5 用存储器实现组合逻辑电路 7.1 概述 7.1 概述 7.2 只读存储器（ROM） 7.2 只读存储器（ROM） 7.2 只读存储器（ROM） 7.2 只读存储器（ROM） 7.2 只读存储器（ROM） 7.2 只读存储器（ROM） 7.2 只读存储器（ROM） 7.2 只读存储器（ROM） 7.2 只读存储器（ROM） 7.2 只读存储器（ROM） 7.2 只读存储器（ROM） 7.2 只读存储器（ROM） 7.2 只读存储器（ROM） 7.3 随机存储器（RAM） 7.3 随机存储器（RAM） 7.3 随机存储器（RAM） 7.3 随机存储器（RAM） 7.4 存储器容量的扩展 7.4 存储器容量的扩展 7.4 存储器容量的扩展 7.4 存储器容量的扩展 7.4 存储器容量的扩展 7.4 存储器容量的扩展 7.5 用存储器实现组合逻辑函数 7.5 用存储器实现组合逻辑函数 7.5 用存储器实现组合逻辑函数 * * 半导体存储器是一种能存储大量二值 信息的半导体器件。 一、一般结构形式 输入/出电路 I/O 输入/出 控制 ！单元数庞大 ！输入/输出引脚数目有限 二、分类 1、从存/取功能分： ①只读存储器 (Read-Only-Memory） ②随机读/写 （Random-Access-Memory） 2、从工艺分： ①双极型 ②MOS型 7.2.1 掩模只读存储器 一、结构 二、举例 0 1 1 1 1 1 0 0 1 0 0 1 1 1 0 1 1 0 1 0 1 0 0 0 D0 D1 D2 D3 A0 A1 数 据 地 址 A0~An-1 W0 W2n-1 D0 Dm 两个概念： 存储矩阵的每个交叉点是一个“存储单元”，存储单元中有器件存入“1”，无器件存入“0” 存储器的容量：“字数 * 位数” 掩模ROM的特点： 出厂时已经固定，不能更改，适合大量生产 简单，便宜，非易失性。 7.2.2 可编程ROM（PROM） 总体结构与掩模ROM一样，但存储单元不同。 写入时，要使用编程器 7.2.3 可擦除的可编程ROM（EPROM） 总体结构与掩模ROM一样，但存储单元不同。 一、用紫外线擦除的PROM（UVEPROM） 二、电可擦除的可编程ROM（E2PROM） 总体结构与掩模ROM一样，但存储单元不同。 三、快闪存储器（Flash Memory） 为提高集成度，省去2（选通管），改用叠栅MOS管（类似SIMOS管）。 7.3.1 静态随机存储器（SRAM） 一、结构与工作原理 二、SRAM的存储单元 六管N沟道增强型MOS管 7.3.2* 动态随机存储器（DRAM） 动态存储单元是利用MOS管栅极电容可以存储电荷的原理。 7.4.1 位扩展方式 适用于每片RAM,ROM字数够用而位数不够时； 接法：将各片的地址线、读写线、片选线并联即可。 例：用八片1024 x 1位→ 1024 x 8位的RAM。 1024 x 8 RAM 例：用四片256 x 8位→1024 x 8位 RAM。 7.4.2 字扩展方式 适用于每片RAM,ROM位数够用而字数不够时； 0 1 1 1 1 1 1 0 1 1 0 1 1 1 0 1 1 0 1 1 1 0 0 0 0 1 1 1 1 1 1 0 1 1 0 1 1 1 0 1 1 0 1 1 1 0 0 0 一、基本原理 从ROM的数据表可见： 若以地址线为输入变量，则数据线即为一组关于地址变量的逻辑函数。 0 1 1 1 1 1 0 0 1 0 0 1 1 1 0 1 1 0 1 0 1 0 0 0 D0 D1 D2 D3 A0 A1 数 据 地 址 A0~An-1 W0 W2n-1 二、举例 *