[]功能陶瓷部分2011 第3章 敏感电陶.ppt

第三章 敏感陶瓷 敏感陶瓷属半导体陶瓷，是一类新型多晶半导体功能陶瓷。本章介绍敏感陶瓷的分类、敏感陶瓷在半导化过程，重点介绍了热敏、压敏、气敏陶瓷。 敏感陶瓷的概述 敏感陶瓷是某些传感器中的关键材料，用于制作敏感元件，敏感陶瓷多属于半导体陶瓷，是继单晶半导体材料之后，又一类新型多晶半导体电子陶瓷。 敏感陶瓷材料是指当作用于这些材料制造的元件上的某一外界条件，如温度、压力、湿度、气氛、电场、光及射线等改变时能引起该材料某种物理性能的变化，从而能从这种元件上准确迅速地获得某种有用的信号。 　　　按其相应的特性，可把这些材料分别称为热敏、湿敏、光敏、压敏、气敏及离子敏感陶瓷。 主要内容 3.1 半导体物理基础 3.2 敏感陶瓷的结构与性能 3.3 敏感陶瓷的半导化过程 3.4 热敏陶瓷 3.5 压敏陶瓷 3.6 气敏陶瓷 受主能级中的空穴并不参与导电，参与导电的是：满价能带中电子跃迁到受主能级后遗留下的空穴。 同样，在P型半电体中也有两种载流子，但主要是空穴载流子 施主受主同时存在 半导体的导电类型决定于浓度大的那种杂质 杂质补偿作用：由于受主能级比施主能级低得多，施主上的电子首先要去填充受主能级，从而减弱了施主向导带提供电子的能力和受主向价带提供空穴的能力，这种杂质相互抵消而使半导体的导电能力减弱的现象，称为杂质的补偿。 深能级 深能级:施主能级距导带底较远，受主能级距价带顶较远。（如金、铜、锌、镍） 一般深能级杂质的含量少、能级较深，室温下一般不能离化，因此除起一定的补偿作用，并不能像浅能级杂质那样对载流子的浓度核导电类型有决定性的作用，但对于载流子的复合作用比浅能级杂质强，故也被称为“复合中心” Ｐ-Ｎ结 如果把P型半导体和N型半导体相接触，那么在接触的边界区就会形成一种特殊电结构——P-N结。 由于P型半导体中空穴载流子的浓度远大于电子载流子，而N型半导体中电子载流子的浓度远大于空穴载流子，因此当它们相接触时，在接触边界两边的载流子的浓度差就特别大 Ｎ区的电子向Ｐ区扩散，Ｐ区的空穴向Ｎ区扩散。在扩散前，N，P型半导体都是电中性。因此扩散的结果，在P型半导体和Ｎ型半导体的交界面附近的两侧就出现了正，负电荷的堆积，即在交界处形成了一个电偶层，其厚度约为10-7m（即大约1000个原子的厚度），这就是P－N结。 pn结形成前后的能带图 § 3.1.2 半导体材料分类及其敏感特性 元素半导体 化合物半导体 有机半导体：分为有机分子晶体、有机分子络合物和高分子聚合物，一般指具有半导体性质的碳－碳双键有机化合物。 周期表中元素半导体 化合物半导体 二元化合物半导体 IIIA-VA族半导体——GaAs, InP, InAs, AlP等 IIB-VIA族半导体——CdS ,CdTe 等 IVA之间族半导体——SiC 等 IVA-VIA族半导体——GeS,GeSe,SnTe 等 VA-VIA族半导体——AsSe3，AsSe3等 多元化合物半导体 IB-IIIA-VIA——AgGeTe2等 IB-VA-VIA——AgAsSe2等 (IB)2-IIB-IVA-(VIA)4——Cu2CdSnTe4等 半导体的敏感特性 热敏效应 光敏效应 压敏效应 电压敏感效应 压力敏感效应 磁敏效应 霍尔效应 磁阻效应 ①热敏效应 半导体的导电，主要决定于电子和空穴 温度增加，使电子动能增大，造成晶体中自由电子和空穴增加，使电导率升高 热敏性的半导体（BaTiO3）制成各种热敏温度计、电路温度补偿器，无触点开关 ②光敏效应 光的照射使某些半导体材料的电阻明显下降，这种光的照射使电阻率下降的现象称为光电导。 光电导是由于具有一定能量的光子照射导半导体时把能量传给它，在这种外来能量的激发下，半导体材料产生大量的自由电子和空穴，促使电阻率急剧下降 “光子”的能量必须大于半导体禁带宽度才能产生光电导 ③压敏效应 电压敏感效应－ ZnO 电压电流不成线性关系，即电阻随电压而变 压敏电阻可用于过电压吸收、高压稳压、避雷器 压力敏感效应 纳米发电机 霍尔效应 磁阻效应 1） 霍尔效应 在一块长方形的半导体样品中，沿x方向通以电流(Jx)，同时在z方向加上磁场(Bz)，则在y方向的两边就会产生一个电位差(Ey) ，这种效应即是霍尔效应，且有关系式Ey＝RH Jx Bz 。 对于N型半导体 3.2 敏感陶瓷的结构与性能 敏感陶瓷：由一种或多种金属氧化物采用陶瓷的制备工艺制成的多晶半导体材料。电阻率：10－4～107 Ω·cm，介于导电陶瓷和绝缘介质陶瓷之间 半导体陶瓷的应用特性虽然与晶粒本身性质有关，但更主要是利用晶界及陶瓷表面的特性，这是单晶体所不具备的 主要利用晶体本身性质的：NTC热敏电阻、高温热敏电阻、氧气