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光刻质量检验 光刻质量检验，也可以说是对光刻工艺的要求 匀胶胶膜要均匀，膜厚符合要求 版上图形与片子的边要平行，套刻须准确 显影应彻底，显微镜中观察线条陡直，不皱胶 刻蚀图形完整，边缘清晰，尺寸准确不钻蚀不变形 片子表面无被腐蚀残留物存在，不发花，洁净整齐。 谢谢 光刻工艺 一.简介光刻工艺的概念 光刻是一种图形复印和化学腐蚀结合在一起的精密加工技术。本质上是把临时结构以图形的方式制作在名为掩膜版的膜版上。紫外光透过掩膜版把图形转移到样本片的光刻胶膜上，经化学腐蚀工艺把胶膜上的图形转移到样片上。这一光学照像与化学腐蚀的过程称为光刻，其目的就是复制图形。 二.光刻胶的类型与性质 光刻胶的品种很多，但主要分为两大类 光刻胶类型 ： 1.正性光刻胶 2.负性光刻胶 光刻胶的配制：树脂*感光剂*溶剂 正负胶的化学特性 正性胶：经紫外光照射后发生分解反应，曝光区域可以溶解在碱性显影液中，而未经曝光区域很难被显影液溶解，因此胶膜被保留 负性胶：经紫外光照射后发生聚合反应，曝光区域交联硬化，使得曝光的胶膜很难溶于显影液，而未曝光区域被显影液显掉 光刻胶的物理特性 分辨率 对比度 敏感度 粘滞度 黏附性 抗蚀性 三.光刻掩膜版的识别及质量检查 a.识别掩膜版 b.质量检查 识别掩膜版 根据掩膜版的表面外观描述一块掩膜版，如果版上大部分被鉻覆盖，它就叫暗场掩膜版。 如果版上大部分是透光的，只有很细小的鉻覆盖，它就叫亮场掩膜版。 质量检查 板面平滑无划痕无破损 图形线条陡直无毛刺，无针孔 整套版中各块版之间能一一套准 四.清洗 清洗种类： 玻璃器皿及耐酸物品 镊子 光刻掩膜版 样品片 玻璃器皿类 浸泡在洗液中四小时以上，捞出后用去离子水反复冲洗干净，氮气吹干或烘干。 附洗液配方： K2Cr2O7:H2O:H2SO4=125g:250ml:2500ml 镊子 可采用洗涤液加水煮开数分钟后再用大量去离子水反复冲洗干净，无水乙醇脱水，氮气吹干或烘干。 光刻版 两种清洗方法 丙酮先洗去胶，再用洗版液清洗后，大量的去离子水冲洗干净，氮气吹干或烘干。 过于脏的光刻版，可用H2SO4加上适量H2O2混合液将版放到溶液中轻涮几次，用去离子水冲干净。 样品片 Si片，玻璃片等耐酸碱的可煮H2SO4或王水 GaAs和已制备金属电极类的片子只能用有机溶剂清洗，步骤如下。 四氯化碳 超声.40w2分钟 →三氯乙烯 超声.40w2分钟 →丙酮→无水乙醇 去离子水冲洗干净，氮气吹干或烘干备用 五.光刻工艺流程 表面处理→匀胶→前烘→曝光→显影（加镜检） →坚膜→腐蚀（ 加质检） →去胶 表面处理 在样品片的表面滴上表面处理剂，启动匀胶机甩均匀，目的是去除表面湿气增强胶膜的粘附性。 匀胶 选择所需胶型，调好匀胶机的转速与时间，用适量的胶滴在样品片上启动匀胶机，以得到均匀的胶膜覆盖在片子表面。注：一般二寸片需滴胶2毫升 前烘（软烘） 采用热板烘胶，温度100摄氏度。时间1分钟左右（视胶膜厚度增减时间）。目的是将胶膜中的溶剂去除，提高粘附性，缓解因旋转过程中胶膜内产生的应力改善均匀性。 曝光 这步操作也称作对准曝光，掩膜版与匀好胶的样片，正确位置对准。曝光过程中从光源发出的光通过对准的掩膜版，版上有透光和不透光区域，这些区域形成了要转移到胶膜表面的图形，曝光的目的就是把版上图形精确的复制在胶膜上。 曝光示意图 对准 显影 按光刻胶类型选择显影液，胶膜是起掩蔽作用的。通过显影留下作为掩蔽部分的胶膜，洗掉多余的胶膜。 正胶：曝光区域被显掉，留下未经曝光区域 负胶：未经曝光区域被显掉，留下曝光的区域 显影后必须镜检不合格要返工 显影 坚膜（后烘） 由于显影，胶膜经过液体浸泡后会产生膨胀，为提高胶膜对片子表面的粘附性，增强抗蚀能力及稳固性，坚膜是很重要的。一般热板温度130摄氏度，时间为5-10分钟 腐蚀 干法腐蚀（从略） 湿法腐蚀 湿法腐蚀是选择性的化学腐蚀，根据被腐蚀材料的不同，选择腐蚀液。湿法腐蚀的好处在于对下层材料具有高的选择比，对器件不会带来等离子体损伤，设备简单操作容易。缺点是由于湿法腐蚀是各向同性腐蚀，会带来较严重的侧向腐蚀。 湿法腐蚀的简单原理 例如：湿法腐蚀sio2 Sio2的腐蚀液是由氢氧酸：氟化铵：去离子水配制的 配制腐蚀液的方法：按比例先将氟化铵和去离子混合搅拌均匀，然后再加入氢氟酸使其均匀混合待用。 氢氟酸之所以能腐蚀sio2是由于他能和sio2起络和反应，其反应式如下 sio2+4HF=SiF4+2H2o