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[信息与通信]信息材料课件-半导体材料1

光电导 半导体在光吸收中会产生额外载流子,增大载流子的浓度,从而引起半导体电导率的增加。 光生载流子的产生过程与复合过程的动态平衡。 分为本征光电导和杂质光电导 可用于制造光电器件。例如在玻璃衬底上蒸发PbS和PbSe多晶薄膜,可以制备本征型光电导器件。检测精度高,室温试用。 * * 4.半导体的磁学性质 * 霍尔系数及霍尔迁移率 x方向施加电场Ex,电流密度为Jx, z方向施加磁场Bz y方向产生的电场Ey为: RH称为霍尔系数,单位为:m3C-1 霍尔角(q):总电场E与电流方向的夹角 μH为霍尔系数 本征半导体:霍尔系数为负 N型半导体:霍尔系数始终为负 P型半导体: 霍尔系数在较低温度为正,较高温度变为负 * 半导体的磁阻效应及其物理机制 磁阻效应:在垂直于电流方向上施加磁场,沿外加电场方向的电流密度有所降低,即表观电阻增大,称此效应为磁阻效应。分为物理磁阻效应和几何磁阻效应 物理机制 * 谢谢大家! * 半导体材料 (1) Semiconductor Materials 光电技术学院 2011/9/1 * * 半导体材料的发展史 * * 半导体材料的重要地位 锗、硅产业的发展导致了电子工业革命 GaAs激光器的发明及光纤技术的发展使人类进入了信息时代 半导体器件的新的设计:半导体超晶格、量子阱材料,将进一步改变人类的生活方式 * 没有半导体材料及其相关技术的发展,就没有现代信息产业! 本课主要内容 半导体材料的基本特性 半导体的电子结构 半导体的电学性质 半导体的光电性质 半导体的磁学性质 * * 什么是半导体?   能带结构的特点 电阻率的特点 * 温度效应:电阻随温度的上升而降低 光生伏特效应:光照下产生电压 整流效应:导电的方向性 光电导效应:光照下电导增加 半导体这个名词大概到1911年才被考尼白格和维斯首次使用,而总结出半导体的这四个特性一直到1947年12月才由贝尔实验室完成。 为什么半导体被认可需要这么多年呢? 主要原因是材料不纯。 半导体材料的特征 1.半导体的电子结构 * * * * * 半满带 价带 导带 禁带 价带 导带 禁带 满带(价带) 禁带 绝缘体 半导体 导体 导体、绝缘体和半导体的能带 价带:0K条件下被电子填充的能量最高的能带 导带:0K条件下未被电子填充的能量最低的能带 禁带:导带底与价带顶之间能带 带隙:导带底与价带顶之间的能量差 能带示意图 半导体能带结构的基本特征 * 直接带隙半导体 间接带隙半导体 本征半导体 * 半导体中的载流子-电子和空穴 Eg 跃迁 传导电子 空穴 空穴的有效质量是价带顶电子有效质量的负值,即为正 半导体的导电类型 半导体的导电性能往往是由于存在一定的杂质,它们对于能带填充情况有所改变,使导带中有少数电子或价带缺少了少数电子,从而产生一定的导电性叫掺杂导电(对应掺杂半导体)。 即使半导体中不存在任何杂质,也会由于热激发使少数电子从价带热激发到导带底,产生所谓的本征导电(对应本征半导体)。 * * 提供多余价电子的掺杂称为施主掺杂 * 自由电子为多数载流子(多子) 空穴称为少数载流子(少子) * 施主能级和施主电离示意图 电子从施主能级跃迁至导带底部 留下的电离施主 * 提供多余空穴的掺杂称为受主掺杂 * 空穴为多数载流子(多子) 自由电子为少数载流子(少子) * 受主能级和受主电离示意图 空穴从受主能级跃迁至价带 留下的电离受主 半导体中的载流子分布 质量作用定律(mass action law): 对于一个给定的半导体,导带上电子浓度与价带上空穴浓度的乘积为常数,仅仅取决于半导体的禁带宽度,与掺杂无关。 例如:硅中掺砷掺得越多,即导带中电子越多,而价带中空穴将越少。 * 热平衡载流子分布 本征半导体:带隙越窄,空穴载流子越集中分布在价带顶部附近,电子越集中分布在导带底部附近。 N型半导体:导带上电子载流子的浓度由本征激发和施主电离两部分。 P型半导体:价带中的空穴浓度来自于本征跃迁和受主电离两部分。 * 处于热平衡状态下的载流子浓度称为平衡载流子浓度。 * 非平衡载流子 在外界作用下,材料中的电子浓度和空穴浓度都是偏离平衡值的,多出来的这部分载流子叫做非平衡载流子(过剩载流子),通常用光注入或电注入方法产生非平衡载流子。 非平衡载流子在半导体中具有非常重要的意义,半导体中许多物理现象和某些器件原理是与非平衡载流子有关的。 非平衡载流子对于多子和少子的影响是不同的。 非平衡载流子主要影响少子。 例如,在室温下,N型硅,n0 ~ 1015cm-3, p0 ~ 105cm-3, 而非平衡载流子的浓度为~ 1010cm-3。 *

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