模拟电子技术（非官方）演示幻灯片.ppt

模拟电子技术基础;第4章 半导体二极管和三极管 ;4.1 PN结 ;⑴ 半导体的物理特性;⑵半导体的晶体结构 ;简化原子结构模型如图4-1(a)的简化形式。;单晶半导体结构特点 共价键:由相邻两个原子各拿出一个价电子组成价电子对所构成的联系。 图4-1(b)是晶体共价键结构的平面示意图。 ;图4-1(b)晶体共价键结构平面示意图;2.半导体的导电原理 ;⑴ 本征半导体;由于空穴带正电荷，且可以在原子间移动，因此，空穴是一种载流子。 半导体中有两种载流子：自由电子载流子（简称电子）和空穴载流子（简称空穴），它们均可在电场作用下形成电流。 ;半导体由于热激发而不断产生电子空穴对，那么，电子空穴对是否会越来越多，电子和空穴浓度是否会越来越大呢？ 实验表明，在一定的温度下，电子浓度和空穴浓度都保持一个定值。 半导体中存在 1.载流子的产生过程 2.载流子的复合过程;综上所述：;⑵ 杂质半导体;常用的杂质元素 三价的硼、铝、铟、镓 五价的砷、磷、锑 通过控制掺入的杂质元素的种类和数量来制成各种各样的半导体器件。 杂质半导体分为：N型半导体和P型半导体。 ;① N型半导体;图4-2 N型半导体晶体结构示意图;杂质半导体中仍有本征激发产生的少量电子空穴对。 自由电子的数目高，故导电能力显著提高。 把这种半导体称为N型半导体，其中的电子称为多数载流子（简称多子），空穴称为少数载流子（简称少子）。 在N型半导体中自由电子数等于正离子数和空穴数之和，自由电子带负电，空穴和正离子带正电，整块半导体中正负电荷量相等，保持电中性。 ;② P型半导体;综上所述：;⑶ 载流子的漂移运动和扩散运动 ;② 扩散运动;3. PN结的形成 ;浓度差引起载流子的扩散。 ;自建电场阻止扩散，加强漂移。 ;4.PN结的特性 ;① PN结外加正向电压;② PN结外加反向电压 ;② PN结外加反向电压 ;PN结加反向电压时，空间电荷区变宽，自建电场增强，多子的扩散电流近似为零。 反向电流很小，它由少数载流子形成，与少子浓度成正比。 少子的值与外加电压无关，因此反向电流的大小与反向电压大小基本无关，故称为反向饱和电流。 温度升高时，少子值迅速增大，所以PN结的反向电流受温度影响很大。;结论：;⑵ PN结的伏安特性 ;⑵ PN结的伏安特性 ;⑵ PN结的伏安特性 ;⑵ PN结的伏安特性 ;⑶ PN结的反向击穿 ;① 雪崩击穿;② 齐纳击穿 ;⑷ PN结的电容效应 ;⑷ PN结的电容效应;4.2 半导体二极管;1.半导体二极管的结构和类型;半导体二极管图片;半导体二极管图片;半导体二极管图片;2. 二极管的伏安特性 ;2. 二极管的伏安特性;① 正向特性 死区电压：硅管 0.5V 锗管 0.1V 线性区：硅管 0.6V～1V 锗管 0.2V～0.5V 对温度变化敏感： 温度升高→正向特性曲线左移 温度每升高1℃→正向压降 减小约2mV。 ;2. 二极管的伏安特性;3. 二极管的主要参数;4. 二极管的等效电路及应用 ;⑴ 理想二极管等效电路;⑵ 考虑正向压降的等效电路;uD;⑶ 二极管电路的分析方法;由于二极管具有单向导电性，因此利用它可以进行交流电到直流电的转换。这样的电路叫整流电路(Rectifier Circuits)。图 (a)就是一个实用的单相桥式全波整流电路，常应用于直流稳压电源中。四个二极管Dl ~ D4接成电桥形式。 设交流电源u为：;在一般整流电路中，交流电压幅值Um都要远远大于二极管的正向压降UD，因此常近似为UD = 0，可以用理想二极管等效电路来分析电路的工作原理。 当交流电源u0时，二极管Dl、D3导通，相当于开关闭合；D2、D4截止，相当于开关断开，如图 (b)所示。因此输出电压uO = u。;当u 0时，二极管D2、D4导通，Dl、D3截止，如图 (c)所示。因此uO = -u。;这样无论在交流电源u的正半周还是负半周，负载RL两端的输出电压uO始终是上正下负；RL电阻中的输出电流iO始终是由A点流向B点。 对应于交流电源u的波形可以画出uO，iO及二极管中的电流iD的波形如图 (d)所示。;那么桥式全波整流输出电压uO的平均值UO（即直流成分）为： ;从前图中显见每个二极管都只在交流电源的半个周期内导通，所以流过每个二极管的平均电流ID均为IO的一半。即;那么，设计选择二极管时必须满足下列条件：;图(a)是一个二极管组成的限幅电路(Clipping Circuit)。这种电路常用于有选择地传输信号波形的一部分，所传输的波形部分处在电路设定的参考电压以上或以下。;电路中u为交流正弦电压信号。UR为直流参考电压源。D为普通二极管。现在用考虑正向压降