以中频反应性磁控溅射法成长002优选取向氮化铝薄膜之研究.pdfVIP

以中頻反應性磁控濺射法成長[002]優選 取向氮化鋁薄膜之研究 摘要 由於 AlN[002]具有高傳播速度和高機電耦合係數 ，是很有潛力的表面聲波 元件用壓電材料 。本研究利用中頻反應性磁控濺鍍技術成長氮化鋁薄膜 ，藉由改 變濺鍍製程參數 ，如靶材與試片距離 、沉積壓力 、氮氣濃度 、濺鍍功率等 ，探討 製程參數對氮化鋁薄膜微結構與優先成長方向的影響 。實驗結果顯示 ，隨著腔室 壓力減少 、試片離靶距離縮短 、氮氣流量降低 、以及功率的提升 ，AlN 的[002]C 軸取向有增強的趨勢 ，[100] 、[101]取向則有變弱或消失的傾向 。掃描式電子顯 微鏡觀察 ，顯示薄膜晶粒大小一致 ，且排列整齊 。研究發現本系統在試片距離 10cm ，腔室壓力 1mTorr ，氮氣濃度 30% ，濺鍍功率 2kW 時可得最佳之[002]高 優選取向氮化鋁薄膜 。本研究除討論氮化鋁薄膜優選取向形成機構外 ，並以最佳 鍍膜條件成長 AlN 薄膜於 128°LiNbO3 壓電基板上 ，利用微影技術製作表面聲 波元件 ，以探討 AlN 鍍膜厚度對元件特性之影響 。 v Synt