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0 预备知识 电信号: 指随时间而变化的电压u或电流I，u=f(t)或i=f(t) 电信号容易传送和控制，应用广泛 模拟信号：在时间和数值上均连续，正弦波 数字信号：在时间和数值上均离散，方波 电路理论 基尔霍夫定律 叠加定理 戴维南定理和诺顿定理 电子系统 课程定位 电子、电气、信息学科的专业基础课。 电子技术的一部分，工程性、实践性 课程的主要内容 常用电子器件 以三基为主 模拟电子电路 以应用为主 电子系统分析 管为路用 与其他课程的联系 基础：高等数学、应用数学、物理学 先修课程：电路理论 后续课程：数字电子技术、微机原理等 如何学习《模拟电子技术》 要求 重点掌握基本概念、基本电路、基本分析方法 注意电路理论知识在模电中的应用 用习题巩固知识 教材 《模拟电子技术》，朱定华，清华大学 参考资料 《模拟电子技术基础》，童诗白，清华大学 《电子技术基础》（模拟部分），康华光，高教 《模拟电子技术 学习指导与习题精解》，朱定华，清华 电路理论部分知识 基尔霍夫电流定律（KCL） ?ik(t) =0 节点(3): –i1 – i3+ i6=0 基尔霍夫电压定律（KVL） ?uk(t) =0 u1+ u6 – u7 – u4= 0 叠加定理 戴维南定理和诺顿定理 本章主要内容 定义：N型半导体、P型半导体、自由电子与空穴、扩散与漂移、PN结、二极管、稳压管、三极管、场效应管 原理：二极管的单向导电性；三极管的放大作用；半导体器件的工作特性及主要参数 方法： 如何判断二极管的通断； 如何判断三极管的类型； 如何判断三极管在电路中的工作状态 1.1 半导体器件 半导体：导电能力介于导体和绝缘体之间。 光敏性、热敏性 电中性 本征半导体：T=0K，没有载流子，呈绝缘特性 本征半导体有两种载流子 自由电子（负）：定向移动，形成电子电流 空穴（正）：价电子定向填补空穴，形成空穴电流 电子电流和空穴电流方向相反，两者之和即为半导体中的电流 杂质半导体 掺入杂质越多，多子浓度越高，导电性能越强 N型半导体（Negative负的） 掺入五价元素（磷） 主要靠自由电子（多子）导电 P型半导体（ Positive正的） 掺入三价元素（硼） 主要靠空穴（多子）导电 N型半导体 PN结的形成 PN结的单向导电性 PN结正偏（P(+), N(-)）时，具有较大的正向扩散电流，呈现低电阻，PN结导通。 PN结反偏（P(-), N (+)）时，仅有很小的反向漂移电流，呈现高电阻，PN结截止。 1.2 半导体二极管 P区引出的电极称为阳极，N区引出的电极称为阴极 点接触型：高频，小功率 面接触型：低频，整流管 平面二极管：大功率整流、开关 半导体二极管的伏安特性 二极管具有单向导电性 二极管的伏安特性和PN结的区别 正偏时，电流相同，二极管端电压PN结压降 正向电压不变，二极管的正向电流PN结的电流 二极管存在表面漏电流，其反向电流增大 主要参数 最大整流电流IF：允许通过的最大正向平均电流 最大反向工作电压UR：常取击穿电压的一半 反向电流IR：二极管未击穿时的反向电流值。此值越小，二极管的导电性能越好 最高工作频率fM 二极管的应用 整流电路 限幅电路 开关电路 检波电路 其他二极管 稳压二极管：反向击穿时，在一定的电流范围内，端电压不变 正常工作在反向击穿状态 应与负载并联，常用于稳压电源与限幅电路 必须限制流过稳压管的电流，接限流电阻 发光二极管 光电二极管 变容二极管 二极管的应用例题 例1：二极管导通电压UD约为0.7V。试估算开关断开和闭合时输出电压值。 例2 由理想二极管组成的电路如图，试确定各电路的输出电压 例3 估算流过二极管的电流IVD和A点电位UA，设二极管的正向压降为0.7V 1.3 半导体三极管 半导体三极管，又称为双极型晶体管（BJT） 三极管的工作原理 三极管的电流放大条件 内部：发射区高掺杂，基区很薄，集电结面积大 外部：发射结正偏，集电结反偏 发射结正偏，扩散运动形成发射极电流IE IE=IEN+IEP IEN=IBN+ICN 基区非平衡少子（电子）与多子（空穴）的复合运动形成基极电流IB IB=IBN+IEP-ICBO 集电结反偏，漂移运动形成集电极电流IC IC=ICN+ICBO 三极管：电流控制和电流放大 共射直流放大系数 共基直流放大系数 共射交流放大系数 共基交流放大系数 一般认为 三极管的共射输入特性曲线 uCE=0V，即集电极与发射极短路，同PN结 uCE增大，集电结反偏，加强漂移运动，即加强非平衡少子在集电区的收集，减少基区非平衡少子的复合。要获得同样的iB，应增大uBE uCE≥1V，非平衡少子在集电区的收集基本稳定，随着uCE增大，iC增