采用MOCVD方法在GaAs衬底上生长ZnO002-人工晶体学报.PDFVIP

　第 34卷 第 6期 　 　　　　　　 　人 　工 　晶 　体 　学 　报　　　 　　　　 　 Vo l. 34　No. 6 　 2005年 12 月 　　　　　　　 　　 JOURNAL OF SYN TH ET IC CRYSTAL S　 　 　 　 　 　 　 　D ecem ber, 2005　 采用 MOCVD 方法在 GaA s衬底上生长 ZnO ( 002)和 ZnO ( 100)薄膜 崔勇国, 张源涛, 朱慧超 , 张宝林 , 李万程 , 杜国同 (吉林大学电子科学与工程学院 ,集成光电子国家重点实验室 ,长春 130023) ( ) 摘要 :采用金属有机化学汽相沉积生长法 MOCVD ,在不同的衬底表面处理条件和生长温度下 ,在 GaA s衬底上生 ( ) ( ) 长出了 ZnO 薄膜 。随着化学腐蚀条件的不同 ,可生长出优先定位不同的 ZnO 100 和 ZnO 002 薄膜 。该薄膜的晶 ( ) ( ) ( ) 体结构特性是由 X光衍射谱仪 XRD 所获得的 ,而其光学特性是由光荧光谱仪 PL 来测的。与 ZnO 002 相比 , ( ) ZnO 100 薄膜具有更优越的晶体结构特性 ,并且在同样的生长温度下都具有相似的光学特性 。对于腐蚀条件不同 的 GaA s衬底所进行的 XPS分析结果表明 , ZnO 薄膜优先定位变化的主要原因在于腐蚀过程中形成的富A s层 。 关键词 :金属有机化学汽相沉积 ; ZnO 薄膜 ;半导体材料 中图分类号 : O484 　 　 文献标识码 : A 　 　 文章编号 : 1000985X (2005) 061154 04 Grow th of ZnO ( 002) and ZnO ( 100) F ilm s on GaA s Sub stra tes by M O CVD CU I Yong g uo, ZHAN G Yuan tao, ZHU H u ichao, ZHAN G B aolin, L I W an cheng , D U Guotong ( State Key L aboratory on Integrated Op toelectron ics, College of Electron ics Science and Engineering, J ilin U n iversity, Changchun 130023 , Ch ina) (R eceived 14 J u ly 20