磁控溅射镀膜系统中提高平面靶材利用率的方法.pdfVIP

[19 ]中华人民共和国国家知识产权局 [51] Int. Cl. C23C 14/35 (2006. 01 ) [12 ]发明专利申请公布说明书 [21 ]申请号 200910105321. 7 [11] 公开号 CN 101586228A [43] 公开曰 2009 年 11 月 25 日 [22] 申请日 2009.2.5 [21] 申请号 200910105321.7 [71 ]申请人田小智 地址 518000 广东省深圳市福固区八卦四路 东 1 座3 楼 [72] 发明人田小智姜翠宁黄启耀 权利要求书 1 页说明书6 页附图2 页 [54] 发明名称 磁控溅射镀膜系统中提高平面靶材利用率的 方法 [57] 摘要 本发明涉及一种磁控溅射镀膜系统中提高平面 靶材利用率的方法 1亥磁控溅射镀膜系统中提高平 面靶材利用率的方法包括如下的步骤 a. 测试磁控 溅射镀膜系统中所用的平面靶材溅射区域的宽度: h. 根据磁控溅射用平面靶材的溅射区域的宽度设置 新靶材的宽度尺寸，该新靶材的宽度尺寸比磁控溅 41 射用的平面靶材溅射区域的宽度尺寸略大 C. 在磁 控溅射用平面靶材的非溅射区设置旧靶材。 此方法 在不影响生产工艺、产品质量，以及在不需要任何 设备改进的前提下，能够立竿见影的节省新靶材的 使用量，从而提高平面靶材的利用率。 20091010532 1. 7 权利要求书 第1/1支 1 、 耳中磁控溅射镀膜系统中提高平面靶材利用率的方法，该磁 控溅射镀膜系统中提高平00靶材利用率的主法包括如 F的步骤: a、测试磁控溅射镀膜系统中所用的平面靶材溅射区域的宽度: b 、根据;磁控溅射用平面靶材的溅射区域的宽度设置新靶材的宽 度尺寸， i亥新靶材的宽度尺寸比磁控溅射用的平面革E材溅射区域的 宽度尺\j- 略大: 趴在磁控溅射用于面靶材的非溅射区设置1 日靶材。 2 、根据权利要求 1 所述的种磁控溅射镀膜系统中提高平面靶 材利用率的方法，其特征在于 a 步骤中所述的磁控溅射镀膜装置中 溅射区域的宽度为磁控溅射镀摸装置中所设置的磁极位置所对应的 最小宽度O 3 、根据权利要求 1 所述的一种磁控溅射镀膜系统中提高平面靶 材利用率的方法，其特征在于: b 步囊中所述的该新靶材的宽度尺寸 略大于磁控溅射镀膜装置溅射区域的宽度尺寸柜i可O 2 说明书 第1/6支 磁控溅射镀膜系统中提高平面靶材利用率的方法 技术领域 本发明涉及→手中镀膜方法，尤指一种通过设置新靶材尺寸达到 节约效果的磁控溅射镀膜系统中提高平面瞿材利用率的方法o 背景技术 磁控溅射技术在过去的儿十年里发展快速，如今它己经成为在工 业上进行广泛的沉积覆层的重要技术c 磁控溅射技术在许多应用领域 包捂制造硬的、抗磨损的、低声享擦的、抗腐性的、装漠的以及光电学 薄膜等右面具有重要的影响。 直流磁控溅射系统的原理:异常辉光放电将充入真空室的氧气 电离，大量电子在磁场的束缚下沿着磁力线方向做螺旋线运动，不 断的撞击氢气分子，使之不断电离出大量的氢正离子和电子，氢正 离子在电场的作用下加速轰击作为阴极的靶材，溅射出大量的靶材 原子，呈中性的革E材原子(或分子)沉积在基片土形成镀膜:所电 离出的电子称为二次电子，它将继续与氢气分子碰撞，继续将其电 离。从市维持靶村的溅射。作为磁控溅