门电路和组合逻辑电路详解.pptxVIP

第20章 门电路和组合逻辑电路;正逻辑：高电平表示1，低电平表示0负逻辑：高电平表示0，低电平表示1;模拟电路与数字电路的区别;例;（1）工作信号是二进制的数字信号，在时间上和数值上是离散的（不连续），反映在电路上就是低电平和高电平两种状态（即0和1两个逻辑值）。 （2）在数字电路中，研究的主要问题是电路的逻辑功能，即输入信号的状态和输出信号的状态之间的逻辑关系。 （3）对组成数字电路的元器件的精度要求不高，只要在工作时能够可靠地区分0和1两种状态即可。;　　获得高、低电平的基本方法：利用半导体开关元件（二极管、三极管）的导通、截止（即开、关）两种工作状态来实现。;1. “与”门电路;“与” 门真值表;“与”逻辑（逻辑乘）的运算规则;2. “或”门电路;“或” 门真值表;“或”逻辑（逻辑加）的运算规则;2、 “或”逻辑关系;;逻辑非（逻辑反）的运算规则;将与门、或门、非门组合起来，可以构成多种复合门电路。;内含4个两输入端的与非门， 电源线及地线公用。;由或门和非门构成或非门;3. 与或非门;20.3 TTL门电路;;;;74LS00、74LS20管脚排列示意图;(1) 电压传输特性：;; 指一个“与非”门能带同类门的最大数目，它表示带负载的能力。对于TTL“与非”门 NO ? 8。;平均传输延迟时间 tpd ;20.3.2 三态输出“与非”门;“0”;;三态门应用：;1. 电路;OC门的特点：;OC门的特点：;（2）集电极开路的TTL与非门（OC门）;场效应晶体管;绝缘栅型场效应管;(2) N沟道增强型管的工作原理; 当UGS 0 时，P型衬底中的电子受到电场力的吸引到达表层，填补空穴形成负离子的耗尽层；当UGS UGS（th）时，还在表面形成一个N型层，称反型层，即勾通源区和漏区的N型导电沟道，将D-S连接起来。 UGS愈高， 导电沟道 愈宽。;N型沟道增强型绝缘栅场效;(3) 特性曲线;;2. 耗尽型绝缘栅场效应管;(2) N沟道耗尽型MOS管的特性曲线;20. 4. 1 CMOS 非门电路;T4 与 T3 并联， T1 与 T2 串联；;B;20.4. 4 CMOS传输门电路（了解）;;;TTL与非门;CMOS 门;;;20.5 逻辑代数;1.计数制;（1）十进制;５　５　５　５; 1　 0　 1　 1;1. 常量与变量的关系;2. 逻辑代数的基本运算法则;;对偶关系： 将某逻辑表达式中的与( ? )换成或 (+)，或(+)换成与( ? )，得到一个新的逻辑表达式，即为原逻辑式的对偶式。若原逻辑恒等式成立，则其对偶式也成立。;20. 5. 2 逻辑函数的表示方法; 1. 列逻辑状态表（真值表）; 2. 逻辑式;各组合之间 是“或”关系; 3. 逻辑图;练习：;逻辑代数的基本运算法则;20. 5. 3 逻辑函数的化简;1. 用 “与非”门构成基本门电路;;例1：;;例5：; 3. 应用卡诺图化简（了解）;用公式法化简下列各逻辑式：; (2) 卡诺图;( 2)卡诺图;( 2)卡诺图;( 3)应用卡诺图化简逻辑函数;( 3)应用卡诺图化简逻辑函数;;解：;20. 6 组合逻辑电路的分析与综合;20. 6. 1 组合逻辑电路的分析;例 1：分析下图的逻辑功能;(2) 应用逻辑代数化简; (3) 列逻辑状态（真值）表;(1) 写出逻辑式; (2) 列逻辑状态表;例3：分析下图的逻辑功能;B;20. 6. 2 组合逻辑电路的综合; 例1：设计一个三人(A、B、C)表决电路。每人有一按键，如果赞同，按键，表示“1”；如不赞同，不按键，表示 “0”。表决结果用指示灯表示，多数赞同，灯亮为“1”，反之灯不亮为“0”。;(3) 用“与非”门构成逻辑电路;74LS管脚排列示意图;三人表决电路;例2：设计一个三变量奇偶检验器。 要求: 当输入变量A、B、C 中有奇数个同时为“1”时，输出为“1”，否则为 “0”。用“与非”门实现。; (4) 逻辑图;例 3: 某工厂有A、B、C 三个车间和一个自备电站，站内有两台发电机G1和G2。G1的容量是G2的两倍。如果一个车间开工，只需G2 运行即可满足要求；如果两个车间开工，只需G1 运行，如果三个车间同时开工，则G1和 G2均需运行。试画出控制G1和 G2运行的逻辑图。; 逻辑要求：如果一个车间开工，只需G2运行即可满足要求；如果两个车间开工，只需G1运行，如果三个车间同时开工，则G1和 G2均需运行。;(2) 由状态表写出逻辑式;(4) 用“与非”门构成逻辑电路;(5) 画出逻辑图;练习：;20. 7 加法器;20. 7. 1 半加器 ;半加器逻辑状态表;20. 7. 2 全加器;(1) 列逻辑状态表;