[信息与通信]第五章 光源与光电检测器.ppt

 §5.1 光 源 1、半导体中的能带 自由原子中的电子一般被紧紧束缚在分立能级中，其运动被局限在原子核周围。 当原子定域在晶格中时，这些分立的能级就被能带所取代。 这是因为当大量原子互相靠近时，电子的运动状态将受到其他原子的影响。 晶体中原子排列是有周期性的，电子在这种周期性电场作用下，它的能量不只是一些分立的值，而可以扩展到某个能量范围，称为能带。 以硅为例，每立方厘米的体积内有5×1022个原子，原子之间的最短距离为0.235nm。 致使离原子核较远的壳层发生交叠，壳层交叠使电子不再局限于某个原子上，有可能转移到相邻原子的相似壳层上去，也可能从相邻原子运动到更远的原子壳层上去，这种现象称为电子的共有化。 电子的共有化使本来处于同一能量状态的电子产生微小的能量差异，与此相对应的能级扩展为能带。 电子共有化，能级扩展为能带示意图 a) 单个原子? b) N个原子 允许带、禁带、满带与空带 允许被电子占据的能带称为允许带； 允许带之间的范围是不允许电子占据的，此范围称为禁带。 原子壳层中的内层允许带总是被电子先占满，然后再占据能量更高的外面一层的允许带。 被电子占满的允许带称为满带，每一个能级上都没有电子的能带称为空带。 能 带 的 分 类 能带由许多靠得很近的能级组成。 下面的能带称为价带： 原子中最外层的电子称为价电子，与价电子能级相对应的能带称为价带。 根据禁带宽度、导带中的电子数以及价带中的电子缺位数，可将材料分成几类： 电流的载体称为载流子 导体或半导体的导电作用是通过带电粒子的运动（形成电流）来实现的，这种电流的载体称为载流子。 导体中的载流子是自由电子，半导体中的载流子则是带负电的电子和带正电的空穴。不同的材料禁带宽度不同，导带中电子的数目也不同，从而有不同的导电性。 例如，绝缘材料SiO2的Eg约为5.2eV，导带中电子极少，所以导电性不好，电阻率大于1012Ω·cm。 半导体Si的Eg约为1.1eV，导带中有一定数目的电子，从而有一定的导电性，电阻率为10-3—1012Ω·cm。 金属的导带与价带有一定程度的重合，Eg=0，价电子可以在金属中自由运动，所以导电性好，电阻率为10-6—10-3Ω·cm。 本征半导体的电子能级 本征半导体中的掺杂 如果在本征半导体上掺入某些杂质有可能大大增加载流子的数量和导电性能。 例如： GaAs是一种Ⅲ－Ⅴ族化合物，如掺入锑（Te)这种元素，就会在导带下面形成杂质能级； 而如果掺入Ⅱ族元素，例如锌（Zn)，就会在价带上面形成杂质能级。 随掺入杂质的不同，半导体可分为两类： N 型 半 导 体 如果掺杂物中载流子的能级略低于导带，则热运动可把电子从杂质中激励到导带去，使材料的导电性能变好，这样的掺杂物称施主; 因为载流子为电子，故这种掺杂后的半导体称负半导体或 n 型半导体。 如在本征半导体GaAs中掺入Te，则会成为n型半导体。 对 n 型半导体，电子称为多数载流子、空穴称为少数载流子。 N 型 半 导 体 示 意 载流子的能级略低于导带 P 型 半 导 体 如果在本征半导体中掺入杂质的能级略高于价带，则会在价带上面形成受主杂质能级； 例如在 GaAs 中掺入 Zn： 价带电子可以跃迁到受主能级上，从而在价带上产生许多空穴； 这种半导体称空穴型半导体（载流子为空穴），又称 p 型半导体。 对 P 型半导体，空穴称为多数载流子、电子称为少数载流子。 P 型 半 导 体 示 意 2、P－N 结的形成 P－N 结具有单向导电性 P-N 结 的 复 合 发 光 当正向通过电流时，P－N结区附近会发光，称为“复合发光”。 GaAs的P－N结复合发光效率很高，因此可用来制作激光器。 不同半导体的费米能级 不同半导体的费米能级 重掺杂P 载流子因浓度不均匀而发生从浓度高区域向浓度低的扩散。 在结区，P 型区空穴和 N 型区电子要往对方区扩散 则 P 型区只剩下电离受主而带负电，N 型区只剩下电离施主而带正电，因此在交界面形成一个带相反电荷区域，称空间电荷区。 空间电荷区形成电场，方向由 N 指向 P 区， 称为自建场，又称 P－N区的势垒。 在自建场作用下载流子又会产生漂移运动，其方向正好和扩散相反。 开始时，扩散占优势，自建场不断增强；而自建场增强会使漂移增强，最后两者达到平衡时，两种运动净效果为零。 不外加电压时，P－N结无电流通过。 P－N结的能带 自建场的存在，表明P区对N区有一个负电位，或者叫P－N结的势垒高度，大小为eVD; 既然电