[工学]半导体器件物理课件六.pptVIP

试画出理想MOS结构（N型半导体为衬底）平衡时的能带图。 根据以上的讨论，以下各区间的表面电势可以区分为 　　Ψs0：空穴积累(能带向上弯曲)； 　　Ψs =0：平带情况； 　　ΨBΨs0：空穴耗尽(能带向下弯曲)； 　　Ψs=ΨB：禁带中心，即ns＝np＝ni(本征浓度)； 　　ΨsΨB：反型(能带向下弯曲超过费米能级)。 电势为距离的函数，可由一维的泊松方程式求得为 其中ρs(x)为位于x处的单位体积电荷密度，而εs为介电常数 F E V E i E C E 半导体表面 g E B y q y q ) 0 ( S S y y q i x 半导体 氧化层 F E V E i E C E 半导体表面 g E B y q y q ) 0 ( S S y y q i x 半导体 氧化层 F E V E i E C E 半导体表面 g E B y q y q ) 0 ( S S y y q i x 半导体 氧化层 下面采用耗尽近似法分析p-n结．当半导体耗尽区宽度达到W时，半导体内的电荷为ρs=-qNA，积分泊松方程式可得距离x的函数的表面耗尽区的静电势分布： 表面电势Ψs为 注意此电势分布与单边的n+-p结相同。 当Ψs大于ΨB时表面即发生反型，然而，我们需要一个准则来表示强反型的起始点．超过该点表示此时反型层中的电荷数已相当显著． F E V E i E C E 半导体表面 g E B y q y q ) 0 ( S S y y q i x 半导体 氧化层 F E V E i E C E 半导体表面 g E B y q y q ) 0 ( S S y y q i x 半导体 氧化层 F E V E i E C E 半导体表面 g E B y q y q ) 0 ( S S y y q i x 半导体 氧化层 设定表面电荷等于衬底杂质浓度是一个简单的准则，即ns=NA.因为，由式 可得 上式表示需要一电势ΨB将表面的能带弯曲至本征的条件(Ei=EF)，接着还需要一额外的电势ΨB，以将表面的能带弯曲至强反型的状态． 当表面为强反型时，表面的耗尽区宽度达到最大值．因此，当Ψs等于Ψs(inv)时，可得到表面耗尽区的最大宽度Wm F E V E i E C E 半导体表面 g E B y q y q ) 0 ( S S y y q i x 半导体 氧化层 F E V E i E C E 半导体表面 g E B y q y q ) 0 ( S S y y q i x 半导体 氧化层 F E V E i E C E 半导体表面 g E B y q y q ) 0 ( S S y y q i x 半导体 氧化层 或 例1：一NA=1017cm-3的理想金属-二氧化硅-硅二极管，试计算表面耗尽区的最大宽度． 解：室温下kT/q=0.026V，且ni=9.65×109cm-3，Si的介电常数为11.9×8.85×10-14F/cm，由式可得 和 理想MOS电容 金属-半导体功函数差为零； 氧化层及界面电荷为零； 界面态为零； 半导体体内电阻为零； 氧化层完全不导电。 能带应是平的； 半导体表面处ΨS=0。 电压分布 VG一部分降落在氧化层中，另一部分降落在半导体表面（空间电荷区，而体内电压降为零）。 把MOS电容看作为一个平行板电容器，并且由上面电压关系得知，MOS电容实际就是由一个氧化层电容和一个半导体中空间电荷区电容的串联结构组成的。 氧化层单位面积电容 tox 氧化层厚度； ε0 真空介电常数； εOX 氧化层相对介电系数。 理想MOS结构总电容 （100）硅，掺杂ND=9.1×1014/cm3 Xox=0.119μm， 高频（1MHz）和低频（准静态） 条件下实际测得C-V特性曲线。 分情况讨论略。 理想MOS的C-V特性曲线 * 广东工业大学 半导体器件物理 第４章 MOS场效应晶体管 半导体器件物理 半导体表面特性及MOS电容 1 半导体表面和界面结构 2 表面势 3 MOS结构的电容—电压特性 4 MOS结构的阈值电压 5 习题 1 半导体表面和界面结构 半导体器件的特性与半导体表面特征性质有特重要的联系。在超、特大集成电路迅速发展的今天，半导体器件的制造相当多是在很薄的一层表面内完成的（几个微米甚至更小），因而，如何有效控制和完善半导体的表面质量，从而进一步利用半导体表面效应，可用来制造例如MOS（金属-氧化物-半导体）器件、CCD（电荷耦合器件）、LED（发光二极管）、LCD（液晶显示）、半导体激光器等表面发光器件，以及