数字逻辑第二章-门电路.pptVIP

计算机科学与工程系 计算机科学与工程系 2.1 半导体二、三级和MOS管开关特性 2.2 分立元器件门电路 2.3 CMOS集成门电路 2.4 TTL集成门电路 电压关系表： uY uB uA 0 10 10 0 0 10 0 10 0 10 0 0 Y B A 0 1 1 0 0 1 0 1 0 1 0 0 真值表 三 CMOS与门和或门 (一) 与门 (二) 或门 四 CMOS与或非门和异或门 (一) CMOS与或非门 (二) CMOS异或门 TP1 TP2 TN2 TN1 TP3 TP4 TN5 TP5 TN4 TN3 TP1、TP2 、TN1 、TN2 组成或非门， 输出P。 P 当P为0时， TP5导通， TN5截止 此时TP3、TP4 、TN3 、TN4 组成 与非门。 当P为1时， TP5截止， TN5导通 输出为：0 综上分析： 0 0 0 1 P Y B A 0 1 1 1 0 1 1 1 0 0 0 0 AB+AB Y= * 第二章 门电路 几个概念 1 (逻辑)门电路：实现基本和常用逻辑运算的电子电路。 2 逻辑变量和两状态开关： 3 高、低电平和正、负逻辑： 高、低电平：是两种状态，两个截然不同的电压范围。 UH:高电平， UL：低电平 正、负逻辑： 正逻辑：用1表示高电平，用0表示低电平； 负逻辑：用0表示低电平，用1表示高电平； 4 分立元件门电路和集成门电路： 分立元件门电路：用分立的元器件和导线连接构成的门 电路。 集成门电路: 构成门电路的元器件和连线，都集成在半导体 芯片上。 5 数字集成电路的集成度： 集成度：把一块芯片上含有等效逻辑门的个数或元器件的 个数。 根据集成电路规模的大小，通常将其分为： SSI 、MSI 、LSI 、VLSI SSI(Small ScaleC Integration )小规模集成电路； MSI(Medium Scale Integration )中规模集成电路； LSI(Large Scale Integration )大规模集成电路； VLSI(Very Large Scale Integration)超大规模集成电 路。 一 理想开关的开关特性 S A K 1 静态特性： (1) 断开时：ROFF=∞,IOFF=0; (2) 闭合时：RON=0,UAK=0; 2 动态特性： (1) 开通时间：ton=0; (2) 关断时间：toff=0; 二 半导体二极管的开关特性 (一) 静态特性 1 二极管的结构图、符号和伏安特性 (1) 结构图： P区 N区 A K 阳极 阴极 PN结 A K + - ID 结构图 符号 (2) 伏安特性 伏安特性曲线： 反映加在二极管两端的电压UD和流过其中的电流ID 之间的关系的曲线叫伏安特性曲线。 ID UD 正向导通区 反向 击穿 区 UBR UBR:反向击穿电压 2 静态特性 二极管的静态特性是指二极管在导通和截止两种稳定 状态下的特性。 正向电压 UF≤UTH ：管子处于截止状态，电阻很大、正向 电流IF接近于0，二极管类似于开关的断开状态； 正向电压UF =UTH ：管子开始导通，正向电流 IF 上升；当正 向电压UF?＞UTH达到一定值(一般锗管为0.3V，硅管为 0.7V)时，管子处于充分导通状态，电阻变得很小， 正向电流IF 急剧增加，此时二极管类似于开关的接通 状态。 (二) 动态特性 二极管的电容效应 (1) 结电容（ CJ）： 二极管中的电荷量随外加电压的变化而变化。 (2) 扩散电容（CD） 在外加正向电压时，PN结中的电荷形成一定的浓度 梯度分布；并随外加电压的变化而变化。 2 二极管的开关时间： (1) 开通时间ton：二极管从反向截止到正向导通的时间; 由两部分组成：td+tr; td:导通延迟时间； tr :上升时间 (2) 关断时间toff：极管从正向导通到反向截止所需要的时间; 由两部分组成：ts + tf