[工程科技]半导体-第八章02.pdf

第八章金属- 半导体接触和 半导体异质结 §8.1 金属-半导体接触 形成： 平面（薄膜）型——蒸发、溅射、CVD等； 针尖接触型——例如钨针接触Si片。 类型： 肖特基接触——具有类似pn结的单向电导性； 欧姆接触——线性I- V 特性，很低的电阻。 1 功函数 真空能级E0 —— 金属体外真空中静止电子的能量。 金属功函数W ： W = E −E m m 0 Fm 例如W = 4.2∼4.3eV ，W ≈4.8eV。见图8.1。 Al Au 半导体功函数W ： W = E −E S S 0 FS 例如N = 1014cm−3 的n型Si，W = 4.38eV； D S N = 1016cm−3 的n型Si，W = 4.26eV等，见表8.1。 D S 半导体的电子亲和能χ ： χ= E −E ，例如χ = 4.05eV 0 C Si 2 8.1.1 金属-半导体接触势垒 首先考虑理想情形，即半导体表面不存在表面态。 金属和n型半导体接触，且W W m s 接触前（分立）的金属和半导体的能带图。 m m qφ W −χ 金属和半导体相互靠近形成接触： 3 金属和半导体的EF不相等，电子由半导体流向金属； Qm0 ，在x=0薄层；Qsc0 ，空间电荷层厚度xD ； −x 方向电场，阻止电子进一步流向金属； 半导体电位相对于金属↑。半导体内部EC 、EV连同EF 一起下降，表面能带弯曲。 最终达到热平衡，统一的EF 。忽略过渡层，接触电位 差V 降在半导体一侧x 内，V 补偿接触前E 与E 之 ms D ms Fm F 差。 4 结两边的电子要进入到对方，都面临势垒 半导体中电子面临势垒qVD qV W −W −qV (8.1) D m s ms 势垒区为高阻区( 电子阻挡层) ，称此势垒为肖特基势垒 金属中的电子面临的势垒qϕ （qϕ 由材料决定）