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第八章光电池 太阳能： 太阳内部核聚变反应 地球大气层外辐照度1367w/m 23%被大气层反射，23%被大气层吸收。 地球表面某一点24h的年平均辐射强度为0.20kw/m2。 第八章光电池 第八章光电池 2009年全球新增装机容量达7.2GW，比2008年的5.5GW增长了31%。 2009年，累计装机总量超过22GW。 期中中国光伏发电装机容量为0.3GW，装机容量最大的为德国，9.8GW。 到2009年，光伏的装机容量占总容量的0.5%。 第八章光电池 第八章光电池 应用领域： 航天 通讯（基站） 微功耗电子产品 （RF、震动、光） 并网发电 嫦娥一号两块太阳能电池板长度18米，砷化镓，平均功率：120W。 第八章光电池 光伏应用瓶颈： 宁夏发电集团太阳山光伏电站等四个光伏发电项目临时上网电价为每千瓦时1.15元人民币. 目前宁夏等西北省份火电上网电价约0.30元. 第八章光电池 电池的价格：7~13元/瓦 电池寿命：10年 必须配套蓄电池 第八章光电池 前景： 太阳电池的利用已由分散的消费品电源向户用电源一独立大型电源一并网发电的趋势发展。 光伏成为全球减排温空气体的重要技术手段。预计到2050年，光伏发电将达到世界总发电量的20％。 第八章光电池 GaAs（化合物电池）：转换效率可达28%抗辐照能力强,对热不敏感，适合于制造高效单结电池。价格昂贵。 多晶硅薄膜：与单晶硅比较,成本低廉，其实验室最高转换效率为18%,工业规模生产的转换效率为10%。 第八章光电池 具有规则的几何外形的固体,晶体中原子或分子在空间按一定规律周期性重复的排列。 晶体由晶粒组成，晶粒内分子、原子都是有规则地排列的，一个晶粒就是单晶。多个晶粒，每个晶粒的大小和形状不同,而且取向也是凌乱的,没有明显的外形,也不表各向异性,是多晶. 原子或分子无规则排列，无周期性无对称性的固体叫非晶。 第八章光电池 冰是单晶，雪是多晶。单晶的透光性很好，透明。多晶由很多小的晶粒组成，存在很多晶界。 第八章光电池 短路电流：Isc=Ip=KE 断路电压： 第八章光电池 第八章光电池 思考： 硅光电池开路电压最高为0.6V？ 第八章光电池 伏安特性： 第八章光电池 探测电路、光伏电路？ 第八章光电池 （2）光吸收系数高，当光子能量超过禁带宽度后，光吸收系数剧增到10000/CM以上，只需3um的厚度就能吸收95%的光，而单晶硅需要几十um。 （3）抗辐射性能好，广泛运用在人造卫星上。 第八章光电池 制备方法：辉光放电 把硅烷(SiH4 ) 气体导入真空反应室内，用等离子辉光放电加以分解，SiH4→ Si+2H2，分解形成的硅在衬底材料上沉积形成a—Si膜。 第八章光电池 在原料气体中加入硼烷(B2H6)，即能生成P型非晶硅(p a—Si)； 在原料气体中加入磷烷(PH3)，即能生长n型非晶硅(n a—Si)。 通过变换原料气体，就可以制备出p-i-n非晶硅薄膜太阳电池 。 第八章光电池 3.PIN的结构使光注入的整个范围布满电场，有利于光电流的收集。 4、光学带隙为1.7eV, 对太阳辐射光谱的长波区域不敏感，限制了转换效率。 5、光电效率会随着光照时间的延续而衰减，使得电池性能不稳定。 第八章光电池 非晶硅/多晶硅叠层薄膜太阳能电池 （双结硅基太阳能薄膜电池） 以宽带隙（1.7ev)的非晶硅为顶电池，窄带隙(1.12ev)的多晶硅为底电池。 第八章光电池 特点： 1、光谱响应的长波由7 0 0 n m扩展到微 晶电池的 1 1 0 0 n m，大大提高了效率. 2、非晶硅薄膜的光致衰减程度与薄膜的本征层厚度有关， 当本征层厚度小于0.3um 时， 太阳能电池的性能相对稳定。双结结构可以减小顶层电池的本征层厚度，克服了光致衰退效应。 第八章光电池 五、应用：太阳能照明 * 一、太阳能电池的分类和特点： 单晶硅：在实验室里最高的转换效率为24.7%，规模生产时的效率为15%； 非晶硅薄膜：转换效率11.2%，成本最低，但是材料具有光电效率衰退效应，稳定性不高，年效率衰减为15%； 第八章光电池 二. 单晶硅光电池 第八章光电池 1、原理：光生伏特效应（光伏） 光入射到PN结时，如果光子能量hvEg，产生一个电子空穴对。电子空穴对在PN结内电场的作用下，分别积累在N区和P区，在P区和N区形成电势差。 第八章光电池 2、硅光电池的结构 （1）金属上电极主栅线； （2）金属上电极细栅线 （3）金属底电极； （4）减反射膜； （5）顶区层（扩散层）； （6）体区层（基区层） 第八章