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缓冲电容器缓冲电容器 缓冲电容器缓冲电容器 1 引言 众所周知，在电力电子功率器件的应用电路中，无 一 例 外 地 都 要 设 置 缓 冲 电 路 ， 即 吸 收 电 路 。 因为 全 控 制 器 件 在 电 路 工 作 时 莫 名 其 妙 损 坏 的 原 因 虽 然 很 多 ， 但缓冲电路和缓冲电容选择不当 是不可忽略的重要原因所在。 2 缓冲原理 电路中器件的损坏，一般都是在器件在开关过程中遭受了过大的 di/dt,dv/dt 或瞬时功耗的冲击而造成的。缓冲电路的作用就是改变器件的开关轨迹，控 制 各 种 瞬 态 时 的 过 电 压 ，以降低器件开关 损 耗 来 确 保 器 件 的 安 全 。 图所示为GTR在驱动感性负载时的开关波形。不难看出，在开通和送断过程中的 某一时刻，GTR集电极电压Uc和集电极电流 ic将同时达到最大值，此时瞬时功 耗也最大。加入缓冲电路可将这一开关功耗转移到相关的电阻上消耗掉，从而达 到保证器件安全运行的目的。 通用的 IGBT缓冲电路有如下图所示的三种形式。 其中，图（a）为 单 只 低 电 感 吸 收 电 容 构 成 的 缓 冲 电 路 ， 适 用 于 小 功 率 IGBT 模块， 用来对瞬变电压有效时的低成本控制，使用时一般将其接在 C1和E 2 之间 （两单元模块）或 P和N之间 （六单元模块）。图4(b)为RCD构成的缓冲电 路，适用于较小功率的 IGBT模块，缓冲二极管D可 箝 住 瞬 变 电 压 ，以 抑 制 由 于 母 线 寄 存 电 感 引 起 的 寄 存 振 荡 。 其 RC时间常数 应设计为开关周期的 1 / 3 ，即τ =T/3=1/3f。图4（c）为P型RCD和N型 RCD构成的缓冲电路，适 用 于 大 功 率 IGBT 模 块 ， 其 功 能 类 似 于 图 4 （b）缓冲电路，但其回路电感更小。若同时配合使用图4(a)缓 冲 电 路 ， 则 可 减 小 缓 冲 二 极 管 的 应 力 ， 从 而 使 缓 冲 效 果 达 到 最 佳 。 IGBT采用缓冲电路后的典型关断电压波形如图 5所示。图中，VCE起始部分的毛 刺ΔV1是由缓 冲 电 路 的 寄 存 电 感 和 缓 冲 二 极 管 的 恢 复 过 程 引 起 的 。 其 值 由 下 式 计 算 ： ΔV1=Lsdi/dt XK推出新款高性能镀金属聚丙烯膜缓冲电容器XK Roederstein MMKP81，该器件可直接安装在绝缘栅双极型晶体管 （IGBT）模块上，容量从 0.047µF到10µF，可在+105℃高温下工作，有700VDC～2500VDC和420VAC～ 800VAC共7个电压等级。(如有需求可联系QQ396873378) MMKP81可承受 2500V/μs的高能脉冲和 1850A的峰值电流，寿命超过 30万 小时，可减少由切换 IGBT引起的电压和电流尖峰，这种尖峰是电磁干扰 （EMI） 的重要来源。典型应用包括功率转换器、频率转换器，以及风力机逆变器、中功 率和高功率太阳能逆变器、汽车动力总成中的电机驱动。同时还提供结构长度 58mm的器件，用于高功率 IGBT模块。 缓冲电容器的 ESR低至 1.5mΩ，容量公差±5 %，引线间隔的每毫米自感 为0.7nH，RMS电流高达 20A。器件采用阻燃塑料外壳和环氧树脂密封，无铅、 无卤素，符合 RoHS指令。