[理学]晶体缺陷.pptVIP

色心的来源： （见 Kittel 8版 p400） 引入化学杂质 引入过量金属离子，可以将晶体放在碱金属蒸气中加热后快速冷却，NaCl 晶体在Na 蒸气中加热后呈黄色，KCl 晶体在K 蒸气中加热后呈品红色。 X 射线或射线辐照，中子或电子轰击。 电解。 3.3 位错 对于完整晶体弹性极限作出的理论估计，得到的数值比最低的观测值约高出103－104倍，和比较常见的观测值相比也要高出102倍，例如，纯Al 晶体仅在应变不大于10-5的范围内是弹性的，这一巨大差异是通过发现了实际晶体中存在的位错而得到解释的。 目前位错理论是解释晶态固体范性形变和金属强度理论的基础。对于我们理解固体的其他物理性质，特别是单晶生长也有着重要作用。 Frenkel 估计完整晶体理论剪切强度的模型 从上表看出，弹性极限的实验值远小于理论模型的估计值，改进模型也得不出好结果，只有引入位错模型，才能很好地解释剪切强度实测值很低的原因。 刃型位错示意图 螺旋位错示意图 * 第四章 晶体缺陷 4.1 定义和分类 4.2 点缺陷及其运动 一. 热平衡状态下的点缺陷 (黄昆书12.3节) 二. 原子扩散理论 （黄昆书12.4节） 三. 离子晶体中的点缺陷和离子性导电 (黄昆书12.5节) 3.3 位错 （黄昆书12.2节） 3.4 缺陷的实验观测 参考：黄昆书12章；Kittel 书8版 20，21章 Henderson 晶体缺陷；Busch 书4章 4.1 定义和分类： 所有与晶体结构严格三维周期排列的偏离都可以被认为是晶体缺陷或不完整性，实际晶体都是有缺陷的不完整晶体。 按其缺陷的尺度范围可以分为： 点缺陷：空位；间隙原子；杂质；错位…… 线缺陷：刃型位错，螺旋位错 面缺陷：小角晶界，堆垛层错 体缺陷：多晶晶粒间界，空洞，包藏物，异相物等 几种点缺陷示意图 本征缺陷（热缺陷）： 空位式缺陷，又称Schottky 缺陷 填隙式缺陷，又称Frenkel 缺陷 外来缺陷： 替位式原子（如同位素原子、杂质和掺杂原子等) 间隙式原子（如杂质和掺杂原子） 无序缺陷： 换位式缺陷（不同原子的偶尔换位） 掺入二价元素后，在卤化碱晶体中出现的空位 刃型位错示意图 螺旋位错示意图 小角晶界 缺陷的来源： 晶体在生成过程中或在合金化过程中携带的或有意掺入的杂质或生成的缺陷；晶体在加工和使用过程中产生的缺陷（主要指位错）；受电子束离子束强辐照后产生的缺陷；原子自身热运动所产生的缺陷，后者即使在没有杂质的理想配比的晶体中也是存在的，所以又称本征缺陷。 研究缺陷的意义： 按严格周期性模型给出的理论结果和实际晶体的测量结果之间总会存在一些差别，对实际晶体中存在的缺陷分析将帮助我们解释产生这些差异的原因。 另一方面，晶体中的缺陷对许多重要的晶体性质可能会起着支配作用 ，有时侯基质晶体反而仅仅只需要作为缺陷的载体看待即可，研究缺陷的性质和运动才是解释这些性质的关键。比如：半导体的导电率；许多晶体的颜色和光学性质；晶体中的原子扩散，力学性质和范性形变等。 特别是金属和合金的强度和范性形变理论就是建立在对位错了解的基础上，它已是固体研究的一个独立学科了。 注意：除了上述缺陷外，还有许多元激发，如反映晶格振动的声子等，有人也把它们归入晶格不完整性范畴，不过这里我们只限于讨论上述（静止）缺陷问题。关于各种元激发的讨论将分散在各章中进行。 4.2 点缺陷及其运动 热平衡状态下的点缺陷 (黄昆书12.3节) Schottky 缺陷浓度 Frenkel 缺陷浓度 点缺陷存在的实验证明 二.原子扩散理论 （黄昆书12.4节） 样品中原子浓度不均匀时，原子就会从高浓度区向低浓度区迁移，直到样品中原子分布均匀为止。这种原子的迁移现象叫扩散。扩散现象对固体材料的应用有着重要影响，如半导体Si，Ge中可以通过扩散Ⅲ-Ⅴ族元素来控制其导电类型和电阻率；扩散现象也决定着或影响着固体的许多物理性质。晶体中原子的扩散现象和其存在的点缺陷是密切相关的。 扩散的三种基本机制： Kittel 8版 p397 两个原子换位 通过间隙原子迁移 通过空位交换位置 描述扩散现象的宏观规律： Fike 第一定律 Fike 第二定律 微观理论的描述： 离子晶体中的点缺陷