[理学]第 1 章3三极管.ppt

2. 三极管的分类 3）共集电极电路直流电流传输方程 1.4.3 三极管的伏安特性曲线 温度对三极管参数的影响 （3）截止区 2. 混合π型参数与工作点电流的关系 正向工作区共射电路的指数模型 受控电流源 （2）饱和区 v BE0、v BC0 集射极间饱和压降 极间饱和压降 饱和状态下的简化模型 v BC增大，i R增大，i C 、i E减小； 基区载流子的复合作用加强， i B增大。 放大状态下的电流传输方程已不成立。 饱和状态时，两结正向电阻都很小，管子呈低阻特性。 三极管已无放大状态时的受控作用 （4）反向工作区 v BE0、v BC0 反向电流传输系数很小，不用。 电极之间可视为开路 截止状态下的简化模型 1.4.6 三极管的小信号模型 加入vi ，电路中的瞬时值为静态值与交流瞬时值的叠加。如 瞬时值: vi 较小时，其对应变化范围内的输入输出特性可视为直线，非线性器件三极管可等效为线性器件来进行分析。 VBEQ对应的静态电流: 瞬时值: 三极管的跨导： 输出电流瞬时值与输入电压瞬时值成线性关系。 小信号的条件： 三极管放大工作时，在静态点上叠加交流小信号，三极管对交流信号具有线性传输特性，三极管可用线性有源网络来进行等效。 线性有源网络与三极管的端电压、电流有函数关系，为三极管的小信号模型。 建立小信号模型的依据 (1) 小信号（微变）——（图解）基本满足叠加原理！ 输入特性：工作点在Q附近移动范围小，切线代替曲线 (2) 双口有源网络的参数模型 硅管: VCES ≤ 0.4 V 过饱和: 饱和管压降: 锗管: VCES ≤ 0. 2 V 导致曲线随 v CE 增加而上倾。输出特性曲线向左延伸交于一点，相应的电压 VA称为厄尔利电压。 基区宽度调制效应： 三极管工作状态的判断 测量某硅材料NPN型BJT各电极对地的电压值如下，试判别管子工作在什么区域？ 例1 .10 原则： 解： 对NPN管→放大时 VC ＞ VB ＞ VE 对PNP管→放大时 VC ＜ VB ＜VE （1）放大区 （2）截止区 （3）饱和区　VCE ＜ VBE 三极管的连接方式 1.4.4 三极管的主要参数 1. 电流传输系数 表征管子放大作用的参数。 ? 和 ? 这两个参数不是独立的，而是互相联系，关系为： 2. 反向饱和电流 小功率锗管ICBO 约为几微安； 硅管的 ICBO 小， 有的为纳安数量级。 　当 b 开路时， c 和 e 之间的电流,集电极穿透电流。 3. 极限参数 1） 集电极最大允许电流 ICM 当 IC 过大时，三极管的 ? 值要减小。 在 IC = ICM 时， ? 值下降到额定值的三分之二。 2）集电极最大允许耗散功率 PCM 将 IC 与 VCE 乘积等于规定的 PCM 值各点连接起来，可得一条双曲线。 安全工作区 过损耗区 3） 极间反向击穿电压 外加在三极管各电极之间的最大允许反向电压。 基极开路时，集电极和发射极之间的反向击穿电压。 发射极开路时，集电极和基极之间的反向击穿电压。 　　安全工作区同时要受 PCM、ICM 和V(BR)CEO限制。 PNP 型三极管 　　放大原理与 NPN 型基本相同，但为了保证发射结正偏，集电结反偏，外加电源的极性与 NPN 正好相反。 三极管外加电源的极性 计算中VBE 、VCE 为负值；输入与输出特性曲线横轴为(- VBE) 、(- VCE)。 某放大电路中BJT三个电极的电流如图所示。 IA＝-2mA,IB＝-0.04mA,IC＝+2.04mA, 试判断管脚、管型。 例1 .11 C —发射极 B —基极 A —集电极。 管型— NPN管。 解： 电流判断法。 电流的正方向和KCL。 IE=IB+ IC 测得工作在放大电路中几个晶体管三个电极的电位U1、U2、U3分别为： 判断它们是NPN型还是PNP型？ 是硅管还是锗管？ 确定e、b、c。 例1 .12 先求UBE，若等于0.6-0.7V，为硅管； 解： 原则：发射结正偏，集电结反偏。 NPN管　UBE＞0， UBC＜0 若等于0.2-0.3V，为锗管。 PNP管自己分析。 在相同的 IB 情况下，集电极电流 IC 随温度上升而增大。温度每上升 l℃，β值约增大 0.5～1％。 （1）对β的影响： 和二极管的正向特性一样，温度上升1℃，v be 将下降 2～2.5mV。 3）对发射结电压v be的影响： 温度上升，β值将增大， i C也将增大，v CE将下降。 ICEO 是由少数载流子漂移运动形成，会随温度上升急剧增加。温