[理学]第6章 半导体存储器.pptVIP

东北大学信息学院 第6章 半导体存储器 半导体存储器是一种由半导体器件构成的能够存储数据、运算结果、操作指令的逻辑部件。用于计算机的内存及数字系统存储部件。 静态存储器是以触发器为基本单元来存储0和1的，在不失电的情况下，触发器状态不会改变； 动态存储器是用电容存储电荷的效应来存储二值信号的。电容漏电会导致信息丢失，因此要求定时对电容进行充电或放电。 称为刷新。动态存储器都为MOS型。 按工作特点不同： 分成只读存储器、随机存取存储器。 地址码的位数n与字数之间存在2n=字数的关系。如果某存储器有十个地址输入端，那它就能存210=1024个字。 2、存取周期 连续两次读（写）操作间隔的最短时间称为存取周期。 ROM按存储内容的写入方式，可分为固定ROM,可编程序只读存储器，简称（PROM)和可擦除可编程只读存储器(Erasable Programmable Read Only Memory，简称EPROM)。 固定ROM：在制造时根据特定的要求做成固定的存储内容，出厂后，用户无法更改，只能读出。 6.2.1 固定只读存储器(ROM) 图6-2是一个4×4位的NMOS固定ROM。 地址译码器：有两根地址输入线A1和A0，共有4个地址号，每个地址存放一个4位二进制信息； 译码器输出线：W0、W1、W2、W3称为字线，由输入的地址代码A1A0确定选中哪条字线。被选中的数据经过输出缓冲器输出。 每根字线和位线的交叉处是一个存储单元，共有16个单元。交叉处有NMOS管的存储单元存储“1”，无NMOS管的存储单元存储“0”。例如，当地址A1A0=00时，则W0=1（W1、W2、W3均为0），此时选中0号地址使第一行的两个NMOS管导通， 位线与字线之间逻辑关系为： D0=W0+W 1 D1=W1+W3 D2=W0+W2+W3 D3=W1+W3 存储矩阵的输出和输入是或的关系，这种存储矩阵是或矩阵。地址译码器的输出和输入是与的关系，因此ROM是一个多输入变量（地址）和多输出变量（数据）的与或逻辑阵列。 地址译码器输出线为高电平有效，32根字线分别接32行的多发射极晶体管的基极，地址译码受选片信号控制，当CS=0时，选中该芯片能够工作，输入地址有效，译码输出线中某一根为高电平，选中一个地址。当CS=1时，译码输出全部为低电平，此片存储单元不工作。 读写控制电路供读出和写入之用。在写入时，VCC接+12V电源，某位写入1时，该数据线为1，写入回路中的稳压管DW击穿，T2导通， 选中单元的熔断丝通过足够大的电流而烧断；若输入数据为0，写入电路中相对应的T2管不导通，该位对应的熔断丝仍为连通状态，存储的0信息不变。读出时，VCC接+5V电源，低于稳压管的击穿电压，所有T2管都截止，如被选中的某位熔断丝是连通的，T1管导通，输出为0；如果熔断丝是断开的，T1截止，读出1信号。 6.2.3 可擦可编程只读存储器(EPROM) 可擦除可编程存储器又可以分为：光可擦除可编程存储器UVEPROM(Ultra—Violet Ereasable Programmable Read－Only Memory) 电可擦除可编程存储器E2 PROM (Electrical Ereasable Programmable Read－Only Memory) 快闪存储器(Flash Memory)等。 6.3 随机存取存储器 随机存取存储器RAM（Random Access Memory）可随时从任一指定地址存入（写入）或取出（读出）信息。在计算机中，RAM用作内存储器和高速缓冲存储器。RAM分为静态RAM和动态RAM；静态RAM又分为双极型和MOS型。 保持状态 ：Z为低电平 0.3V, D和D为1.5V或0.7V，状态不变。 读出：字线为+3V，导通管发射极电流从位线流出。检测一根位线上是否有电流，可读出存储单元的状态。 T7、T8是数据存入或读出存储内容的控制通道。 T1、T2、T3、T4基本RS触发器，T5、T6为门控管，当Xi为1时，T5、T6导通，触发器输出与位线连接；当Xi为0时，T5、T6截止，触发器输出与位线断开。T7、T8门控管，当Yj=1时，T7、T8导通，位线和数据线接通；Yj=0时，位线与数据线断开。T7、T8是数据存入或读出存储内容的控制通道。 双极型RAM的优点是速度快，但功耗大，集成度不高，大容量RAM一般都是MOS型的。存储单元有六管CMOS或六管NMOS组成，如图6-11所示。T1、T2、T3、T4构成基本RS触发器，T5、T6为门控管，由行译码器输出控制其导通或截止。当Xi为1时，T5、T6导通，触发器输出与位线连接；当Xi 为0时，T5、T6截止，触发器输出与位