[理学]第二章 光谱仪及弱信号检测仪三.pdfVIP

第二章光谱仪及弱信号检测仪 主讲教师：许立新 第四节光电探测器 光探测器是指利用光子效应或光热效应把光 辐射量转换成另一种便于测量的物理量的 器件。 从测量技术看，电量到目前为止是最方便、 最精确的。 所以大多数光探测器都是把光辐射量转换成 电量来实现对光辐射的探测。即使直接转 换量不是电量，通常也总是把非电量（如 温度、体积等）在转换成电量来实施测量 第四节光电探测器 光电探测器以光子作为信息载体的器件，应 用它来探测、处理光子信息在本质上具有 极高的信息容量、极快的处理速度、极强 的和无交叉干扰的信号幅度等特点。 还具有并行互连处理能力，极大的存储能力 和极高灵敏的探测能力等。 第四节光电探测器 光电探测器主要有光电子发射探测器与半导 体探测器 光电子发射探测器主要有光电倍增管和微通道管 探测器 半导体探测器有：半导体二极管型光电探测 器、红外探测器、固体成像探测器等几 种。 第四节光电探测器 半导体二极管型光电探测器主要有PIN和APD。 红外探测器是指能工作在1μm ‾ 3μm, 3 μm ‾ 5μm, 8μm ‾ 14 μm波段的HgCdTe和 GaInAsSb单元、多元及焦平面阵列。 固体成像器件可分为可见光、优势互补的混合型 微光、红外阵列探测器。由于这类器件所成 图像不存在图形扭折，易于信息处理，因此 在实现各种高速图像处理等方面得到广泛应 用。 第四节光电探测器 光电探测器基本表征参数 响应度R I RP p in 高响应度等效于探测器的高灵敏度 量子效率 I p 入射光产生的电子空穴对 q hν η ＝ R 入射光子数 P q in hν 第四节光电探测器 电容 与探测器面积和反向偏置电压有关 响应时间 探测器对入射光产生响应并形成外电流所需时间 响应时间受暗电流、噪声、线性度、后向反射及边沿效 应影响 产生光电流主要有两个区域：耗尽区和耗尽区以外的掺杂半 导体，入射光先进入掺杂半导体，然后再进入耗尽区， 耗尽区产生的光电子通过漂移形成电流为快响应，掺杂 区域产生的光电子通过扩散形成光电流，扩散的速率比 漂移要慢，形成边沿效应 第四节光电探测器 第四节光电探测器 一、光电倍增管 光电效应与电子倍增发射 第四节光电探测器 一、光电倍增管 光电效应与电子倍增发射 第四节光电探测器 第四节光电探测器 第四节光电探测器 第四节光电探测器 半导体探测器 V P 耗尽层 N A p-n diode’s deficiencies are related to the fact that the depletion area (active detection area) is small; many electron- hole pairs recombin