3.2电光调制3.25.ppt

UP DOWN BACK * 共29页 * * 电光调制的物理基础是电光效应，即某些晶体在外加电场的作用下，其折射率将发生变化，当光波通过此介质时，其传输特性就受到影响而改变，这种现象称为电光效应。 §3.2 电光调制 电光调制可以分为两种情况： (1)电光强度调制 (2)电光相位调制 一、电光强度调制 1. 纵向电光调制（通光方向与电场方向一致） 电光晶体(KDP)置于两个成正交的偏振器之间，其中起偏器P1的偏振方向平行于电光晶体的x轴，检偏器P2的偏振方向平行于y轴，当沿晶体z轴方向加电场后，它们将旋转45o变为感应主轴x’,y’。因此，沿z轴入射的光束经起偏器变为平行于x轴的线偏振光，进入晶体后(z=0)被分解为沿x’和y’方向的两个分量，两个振幅(等于入射光振幅的1/ ）和相位都相等．分别为： 入射光 P1 Ii x y z x? y? P2 Io 调制光 ~V L 起偏器 ?/4波片 检偏器 纵向电光强度调制 或采用复数表示， 即 当光通过长度为L的晶体后，由于电光效应，E x’和E y’二分量间就产生了一个相位差 ，则（教材错） (3-16) 由于光强正比于电场的平方，因此，入射光强度为 y Y’ x X’ 45o 45o 与之相应的输出光强为： 注意公式： (3-17) 将出射光强与入射光强相比[(3-16)公式/ (3-17)公式]得： (3-18) 式中的T称为调制器的透过率。根据上述关系可以画出光强调制特性曲线。在一般情况下，调制器的输出特性与外加电压的关系是非线性的。 若调制器工作在非线性部分,则调制光将发生畸变。为了获得线性调制，可以通过引入一个固定的 /2相位延迟，使调制器的电压偏置在T＝50％的工作点A上。常用的办法有两种： 电调制特性曲线 50 100 透过率(%) 0 透射光强 时间 电压 调制电压 V? V? /2 A △?m = ?Vm/V? 是相应于外加调制信号vm的相位延迟。其中V=Vm sinωmt 是电光晶体上外加的电压，是调制信号。 其一，除了施加信号电压之外，再附加一个 Vλ/4 的固定偏压，但会增加电路的复杂性，且工作点的稳定性也差。 其二，在光路上插入一个1／4波片(3-4图)其快慢轴与晶体主轴x成45o 角，使E x’和E y’二分量间产生 ?/2 的固定相位差。(3-18)式中的总相位差: (3-18) 因此，调制的透过率可表示为： 利用贝塞尔函数恒等式将上式展开： （3-19) （3-20) 由此可见，输出的调制光中含有高次诣波分量，使调制光发生畸变。 若取 ＝1rad， 则J1 (1)=0.44, J3(1)=0.02, 所以I3 /I 1 =0.045，即三次谐波为基波的4.5%。在这个范围内可以获得近似线性调制，因而取(3-22)作为线性调制判据。 为了获得线性调制，必须将高次谐波控制在允许的范围内。 设基频波和高次谐波的幅值分别为I1和I2n+1, 则高次谐波与基频波成分的比值为 (3-21) (3-22) (3-23) 为了获得线性调制，要求调制信号不宜过大(小信号调制)，那么输出的光强调制波就是调制信号V=Vm sinωmt 的线性复现。如果△?m 1rad的条件不能满足(大信号调制)，则光强调制波就要发生畸变。 纵向电光调制器具有结构简单、工作稳定、不存在自然双折射的影响等优点。其缺点是半波电压太高，特别在调制频率较高时，功率损耗比较大。 横向电光效应可以分为三种不同的运用方式： (1)沿z轴方向加电场，通光方向垂直于z轴，并与x或y 袖成45o夹角(晶体为45o-z切割)。 (2)沿x方向加电场(即电场方向垂直于x光袖)，通光方向垂宜于x铀，并与z轴成45o 夹角(晶体为45o -x切割)。 (3)沿y轴方向加电场，通光方向垂直于y轴，并与z轴成45o夹角(晶体为45o -y切割）。 2．横向电光调制（通光方向与电场方向垂直）