《电工学》简明课件(第十章).pptVIP

10.1.3 共射放大电路的电压放大作用 结论： 1. 实现放大的条件 2. 直、流通路和交流通路 一、 用估算法确定静态值 二、用图解法确定静态值 二、 用图解法确定静态值 三、非线性失真 非线性失真： § 10.3 静态工作点的稳定 10.3.1 温度变化对静态工作点的影响 2. 静态工作点的计算 3. 动态分析 例1: 解: (2) 由微变等效电路求Au、 ri 、 ro。 § 10.4 射极输出器 共集电极放大电路(射极输出器)的特点： 例1: 解: (2) 由微变等效电路求Au、 ri 、 ro。 § 10.7 场效应管及其放大电路 10.7.1 绝缘栅场效应管 2. 耗尽型绝缘栅场效应管 2. 耗尽型绝缘栅场效应管 2. 耗尽型绝缘栅场效应管 耗尽型 3. 场效应管的主要参数 场效应管与晶体管的比较 四种差分放大电路 RC 2RC RC 2RC 差模输出电阻ro 2(RB+rbe) 2(RB+rbe) 差模输入电阻ri 差模放大倍数Ad 单端 双端 单端 双端 输出方式 单端 双端 输入方式 单端输出差分电路的电压放大倍数 只有双端输出差分电路的一半 全面衡量差分放大电路放大差模信号和抑制共模信号的能力。 差模放大倍数 共模放大倍数 KCMR越大，说明差放分辨 差模信号的能力越强，而抑制 共模信号的能力越强。 10.5.4 共模抑制比 共模抑制比 场效应晶体管是利用电场效应来控制电流的一种半导体器件，即是电压控制元件。它的输出电流决定于输入电压的大小，基本上不需要信号源提供电流，所以它的输入电阻高，且温度稳定性好。 结型场效应管 按结构不同场效应管有两种: 绝缘栅型场效应管 本节仅介绍绝缘栅型场效应管 按工作状态可分为：增强型和耗尽型两类 每类又有N沟道和P沟道之分 漏极D 栅极和其它电极及硅片之间是绝缘的，称绝缘栅型场效应管。 金属电极 (1) N沟道增强型管的结构 栅极G 源极S 1. 增强型绝缘栅场效应管 SiO2绝缘层 P型硅衬底 高掺杂N区 G S D 符号： 由于栅极是绝缘的，栅极电流几乎为零，输入电阻很高，最高可达1014? 。 漏极D 金属电极 栅极G 源极S SiO2绝缘层 P型硅衬底 高掺杂N区 由于金属栅极和半导体之间的绝缘层目前常用二氧化硅，故又称金属-氧化物-半导体场效应管，简称MOS场效应管。 (2) N沟道增强型管的工作原理 EG P型硅衬底 N+ N+ G S D + – UGS ED + – 由结构图可见，N+型漏区和N+型源区之间被P型衬底隔开，漏极和源极之间是两个背靠背的PN结。 当栅源电压UGS = 0 时，不管漏极和源极之间所加电压的极性如何，其中总有一个PN结是反向偏置的，反向电阻很高，漏极电流近似为零。 S D EG P型硅衬底 N+ N+ G S D + – UGS ED + – 当UGS 0 时，P型衬底中的电子受到电场力的吸引到达表层，填补空穴形成负离子的耗尽层； N型导电沟道 在漏极电源的作用下将产生漏极电流ID，管子导通。 当UGS UGS（th）时，将出现N型导电沟道，将D-S连接起来。UGS愈高，导电沟道愈宽。 (2) N沟道增强型管的工作原理 EG P型硅衬底 N+ N+ G S D + – UGS ED + – N型导电沟道 当UGS ? UGS(th）后，场效应管才形成导电沟道，开始导通，若漏–源之间加上一定的电压UDS，则有漏极电流ID产生。在一定的UDS下漏极电流ID的大小与栅源电压UGS有关。所以，场效应管是一种电压控制电流的器件。 在一定的漏–源电压UDS下，使管子由不导通变为导通的临界栅源电压称为开启电压UGS(th）。 (2) N沟道增强型管的工作原理 (1)由直流通路求静态工作点。 直流通路 RB1 RC RB2 RE1 +UCC RE2 + – UCE IE IB IC VB 微变等效电路 rbe RB RC RL E B C + - + - + - RS RE1 因对交流信号而言，集电极是输入与输出回路的公共端，所以是共集电极放大电路。 因从发射极输出，所以称射极输出器。 RB +UCC C1 C2 RE RL ui + – uo + – + + es + – RS 求Q点： 10.4.1 静态分析 直流通路 +UCC RB RE + – UCE + – UBE IE IB IC RB +UCC C1 C2 RE RL ui + – uo + – + + es + – RS 10.4.2 动态分析 1. 电压放大倍数 电压放大倍数Au?1且输入输出同相，输出电压