[高等教育]微电子第二章 集成器件物理基础1.pptVIP

第二章 集成器件物理基础 2.0引言 2.1半导体及其能的模型 2.2 半导体的导电性 2.3PN结和晶体二极管 2.4双极性晶体管 2.5JFET与MESFET器件基础 2.6MOS场效应晶体管 2.0引言 本章首先介绍半导体材料的物理性质,包括半导体的导电机构、能带的概念以及半导体中载流子的运动规律。在此基础上介绍集成电路中主要半导体器件的基本物理特性及其分析方法,包括PN 结、双极型晶体管(BJT)、金属- 氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)和结型场效应晶体管(JFET)等器件的工作原理和特性,并给出电路模拟软件中描述这些器件特性的模型与基本模型参数。 2.1半导体及其能的模型 2.1.1半导体及其共价键结构 2.1.2 半导体的能带模型 2.1.3 费米分布函数 2.1.1半导体及其共价键结构 1.半导体材料 2.集成电路中常用元素的原子结构 3.硅晶体中的共价键 4.单晶和多晶 5.半导体的导电机构 1.半导体材料 （1）导体、半导体和绝缘体 物质导电能力的强弱用其电导率表示。电导率的倒数称为电阻串。按照电阻率的大小可将自然界中的物质分为导体、半导体和绝缘体三类， 1.半导体材料 1.半导体材料 （2）掺杂”对半导体电导率的影响 在集成电路中，半导体材料之所以起着突出的作用，并不是由于其导电能力在“数量”上介于导体和绝缘体之间，而是因为它在导电特性上与导体、绝缘体有重要的“质”的区别。 例：理想的纯硅材料电阻率为 。但是只要掺人浓度约为 的杂质磷原子，就可以得到电阻率约 为的硅单晶。硅的原子密度为 ，这样，硅中磷原子的含量只为 ，而导电能力却提高了20多万倍。 1.半导体材料 （2）掺杂”对半导体电导率的影响 由此可见，杂质原子的含量虽然微小，但对半导体材料的导电能力却起了决定性的作用。半导体的导电特性可以通过掺杂来控制是半导体能制成各种器件从而得到广泛应用的一个重要的原因。 1.半导体材料 （3）半导体材料的类型 集成电路中所用的半导体材料有元素半导体和化合物半导体材料两类。元素半导体材料主要包括硅(Si)、锗(Ge)等;化合物半导体材料包括砷化镓(GaAs)、磷化铟(InP)、铝镓砷(AlGaAs)、铟镓砷(InGaAs)等。 2.集成电路中常用元素的原子结构 (1)半导体材料硅的原子结构 在普通物理的原子结构部分已经指出，原子中有一个带正电的原子核和许多个带负电荷的电子。电子在核外分层分布，绕核运动。原子核所带的正电荷正好与电子所带的负电荷总数相等，互相中和，因此整个原子并不显示带电而保持电中性。 2.集成电路中常用元素的原子结构 (2)常用元素原子结构简单示意图 3.硅晶体中的共价键 按内部原子的排列方式不同，物质可分为晶体和非晶体两大类。原子无规则排列所组成的物质就是非晶体，而晶体是由原子规则排列所组成的。硅、锗等绝大部分半导体材料都是晶体，这就是“晶体管”名称的由来。 4.单晶和多晶 按照原子在整个晶体内的排列形式不同，晶体分成单晶体和多晶体两种。 单晶是指在整个晶体内原子都是周期性的规则排列， 多晶是指在晶体内每个局部区域里原子是周期性的规则排列，但不同局部区域之间原子的排列方向并不相同，因此多晶体也可以看成是由许多取向不同的小单晶体(又称为晶粒)组成的。 4.单晶和多晶 半导体硅器件生产中所用的原始材料基本上都是单晶体硅，通常称为单晶硅。但是在MOS集成电路生产中通常采用多晶硅作为栅电极材料，并作为金属材料以外的另一种互连材料。补充 5.半导体的导电机构 （1）热激发 硅单晶是一种共价键晶体结构。与绝缘体一样。每个原子的最外层电子也是处于共价链的束缚状态中。因此，纯净的半导体硅。在不受外界作用时实际上与绝缘体类似，内部自由电子很少，导电能力很差。但是与绝缘体不同的是，在半导体中这种束缚作用要弱得多。 5.半导体的导电机构 在一定的温度下,晶体中的价电子虽然是处于共价键的束缚之中,但也同时在键中不断地运动,平时称这种运动为热运动。由于硅晶体共价键中价电子所受的束缚较弱,因此,在室温下,处于热运动的价电子中有一部分会因为具有较大的热运动能量,能冲破共价键的束缚成为一个自由电子,在这同时破坏了一个共价键,在该共价键上留下了一个电子空位,如图2. 5 所示。这个过程称为“热激发”。价电子冲破束缚所需要的最小能量称为激活能。 问题：如果此时有外家电场作用能形成电流否? 5.半导体的导电机构 （2）“空穴”的概念 正常情况下，原于核所带的正电荷数与核外电子所带