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第七章 光电式传感器 第七章 光电式传感器 第四节 新型光电传感器 一、高速光电二极管 1．PIN结光电二极管 PIN结光电二极管与一般PN结光敏二极管不同之处在于P层和N层之间增加了一层很厚的高电阻率的本征半导体（I）。 加较高的反偏置电压，加速了光电子的定向运动，大大减小了漂移时间，因而提高了响应速度。PIN结光电二极管仍然具有一般PN结光电二极管的线性特性。因此，在光通信和光信号检测技术中得到广泛应用。 2．雪崩式光电二极管（APD,Avalanch Photoelectri-city Diode） 加高反偏压时，当所加反向偏压足够大时，不断产生二次电子发射，形成“雪崩”样的载流子，构成强大的光电流。APD的响应时间极短，灵敏度很高，它在光通信中应用前景广阔。 第七章 光电式传感器 第七章 光电式传感器 二、色敏光电传感器 当光线照射时，P+，N，P三个区域及其间的势垒区均有光子吸收，但是吸收效率不同。紫外光部分吸收系数大，经过很短距离就基本被吸收完毕;因此，浅结对紫外光有较高灵敏度。而红外光部分吸收系数较小，这类波长的光子主要在深结处被吸收；因此，深结处对红外光有较高的灵敏度。 也就是说，半导体中不同的区域对不同波长分别具有不同灵敏度。 第七章 光电式传感器 设浅结的短路电流为ISD1,深结的短路电流为ISD2。ISD2在长波区较大，ISD1在短波区较大；因而ISD2/ISD1与入射单色光波长的关系就可以确定。根据标定曲线，实测出某一单色光的短路电流比值，即可确定该单色光的波长。 第七章 光电式传感器 第七章 光电式传感器 第一节 光电效应 光电传感器是一种将光量的变化转换为电量变化的传感器。它的物理基础就是光电效应。光电效应分为外光电效应和内光电效应两大类。 第七章 光电式传感器 一、外光电效应 每个光子所具有的能量为 第七章 光电式传感器 物理意义： (1)光电子能否产生，取决于光子的能量是否大于该物体的表面电子逸出功A0。不同的物质具有不同的逸出功这意味着每一个物体都有一个对应的光频阀值，称为红限频率或波长限。光线频率低于红限频率，光子的能量不足以使物体内的电子逸出，因而小于红限频率的入射光，光强再大也不会产生光电子发射；反之入射光频率高于红限频率，即使光线微弱，也会立即有光电子射出； (2)当入射光的频谱成分不变时，产生的光电流与光强成正比。即光强愈大，意味着入射光子数目越多，逸出的电子数也就越多。 (3)光电子逸出物体表面具有初始动能，因此外光电效应器件，如光电管即使没有加阳极电压，也会有光电流产生。为了使光电流为零，必须加负的截止电压，而且截止电压与入射光的频率成正比。 第七章 光电式传感器 二、内光电效应 当光照射在物体上，使物体的电阻率ρ发生变化，或产生光生电动势的效应叫做内光电效应。内光电效应又分为光敏电阻(光电导效应)，光电池、光电二极管、光电三极管(光生Volt效应) １．光电导效应 在光线作用下，电子吸收光子能量从键合状态过渡到自由状态，而引起材料电导率σ的变化，这种现象被称为光电导效应。 Eg-光电导材料的能级禁带宽度； v-入射光频率； λ -入射光波长 对hc进行单位换算 第七章 光电式传感器 ２．光生伏特效应 在光线作用下能够使物体产生一定方向的电动势的现象叫做光生伏特效应。 （1）势垒效应（结光电效应） 当光线照射PN结时，被激发的空穴(带正电)移向P区外侧，从而使P区带正电，N区带负电，形成光电动势，这种现象称为结光电效应。 （2）侧向光电效应 如果电子迁移率比空穴大，那么空穴的扩散不明显，则电子(带负电)向未被光照部分扩散，就造成光照射部分带正电，未被光照射的部分带负电，光照部分与未光照部分产生光电势，这种现象称为侧向光电效应。 第七章 光电式传感器 第二节 外光电效应 物质在光照射下发射电子的现象称为外光电效应。外光电效应又分为光电管和光电倍增管。 一、光电管基本特性 １．光电管的结构与 工作原理 光电器件的性能 主要由伏安特性、光 照特性、光谱特性、 响应时间、峰值探测 率和温度特性来描述。 第七章 光电式传感器 ２．光电管的主要性能 （1）光电管的伏安特性 在一定的光照射下，对光电器件所加的阴极电压与所产生的阳极电流之间的关系称为光电管的伏安特性。 2 锑铯阴极光电管为非线性 1 氧铯阴极光电管为线性 第七章 光电式传感器 (2)光电管的光照特性 当光电管的阳极和阴极之间所加电压一定时，光通量（lm）-光电流μA之间的关系称