[化学]CVD化学与薄膜工艺2040223.ppt

化学气相淀积与薄膜工艺Chemical Vapor Deposition Thin Film Technology 孟广耀 Tel:3603234 Fax:3607627 mgym@ustc.edu.cn 中国科学技术大学 材料科学与工程系 固体化学与无机膜研究所 Ch.3 化学气相淀积系统中的质量输运 － 原理和和技术 气相外延砷化镓单晶薄膜 SiHCl3+H2=Si+3HCl Low-Pressure CVD System Plasma-Enhanced CVD ECR-CVD(ECR: electron cyclotron resonance) PECVD (plasma enhanced CVD) LPCVD (low pressure CVD) CVD反应器设计 Ch.3 化学气相淀积系统中的质量输运 － 原理和和技术 3。2 气体的一些性质－(1)气态方程 3。2 气体的一些性质－(2)输运性质（η） 3。2 气体的一些性质－(2)输运性质（η） 3。2 气体的一些性质－(2)输运性质(D) 3。2 气体的一些性质－(2)输运性质(D) 3。2 气体的一些性质－(2)输运性质(D) 3。2 气体的一些性质－(2)输运性质(D) 3。2 气体的一些性质－(2)输运性质(D) 3。3开管气流系统中的质量输运（1）水平反应管中的气流状态 这种情况也为在重掺杂的锗片上外延硅时的自掺杂效应所证实，如图2-1所示。由于基座前端10～15厘米处形成紊流，衬底中施主杂质被卷人气流，比较难于再回到外延层中，所以此段外延层呈现高阻。 3。3开管气流系统中的质量输运（1）水平反应管中的气流状态 3。3开管气流系统中的质量输运（1）水平反应管中的气流状态 . 3。3开管气流系统中的质量输运－ (2)  气态组分向生长表面的转移 3。3开管气流系统中的质量输运－(2)  气态组分向生长表面的转移 (2)气态组分向生长表面的转移 (2)气态组分向生长表面的转移 (2)气态组分向生长表面的转移 (2)气态组分向生长表面的转移 (3)实例：Ga – HCl- NH3-H2 体系 3。4 封管系统中的质量输运 3。4 封管系统中的质量输运－ （1）系统总压和输运机制 3（1）系统总压和输运机制 3。4 封管系统中的质量输运－  （1）系统总压和输运机制 3（1）系统总压和输运机制:反应速率控制 3。4 封管系统中的质量输运－ (2）输运速率的计算 3。4 封管系统中的质量输运－  (2）输运速率的计算 3。4 封管系统中的质量输运－  (2）输运速率的计算 3。4 封管系统中的质量输运－  (2）输运速率的计算 3。4 封管系统中的质量输运 - （3）实验验证 3。4 封管系统中的质量输运 - （3）实验验证 3。4 封管系统中的质量输运 - （3）实验验证 原则上，从式(2.26)、(2.27)、(2.28)求得质量转移系数或，并按气-固界面上的热化学平衡求得相应的或，就可以由式(2.18)、(2.19)求出输运流量。考虑如下热解反应 ABn + C = A + nB + C (2.33) 式中C为载气，不参加反应；A为固体淀积物。在气-固界面上可写出如下的方程式: 式中PABn、PB为固体表面附近平衡分压。设源气流中PABn分压为POABn且不合B组分(即PB＝0)，则按式（2.19）通过界面层的粒子流密度分别为