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沟道的形成 从关断到导通的条件 阳极电位高于阴极电位并 门极有足够的正向电压和电流 从导通到关断的条件 阳极电位低于阴极电位或者 阳极电流小于维持电流 维持导通的条件 阳极电位高于阴极电位并 阳极电流大于维持电流 晶闸管的工作条件： 1. 晶闸管承受反向阳极电压时，不管门极承受何种电压，晶闸管都处于关断状态。 2. 晶闸管承受正向阳极电压时，仅在门极承受正向电压的情况下晶闸管才导通。 3. 晶闸管在导通情况下，只要有一定的正向阳极电压，不论门极电压如何，晶闸管保持导通，即晶闸管导通后，门极失去作用。 4. 晶闸管在导通情况下，当主回路电压（或电流）减小到接近于零时，晶闸管关断。 可控硅优点： 以小功率控制大功率，功率放大高大几十万倍； 反应极快，在微秒级内开通 无触点运行，无火花，无噪音 效率高，成本低 可控硅缺点： 静态和动态的过载能力较差 容易受到干扰而误导通 光控电子开关 220V交流电通过灯泡H及整流全桥后，变成直流脉动电压，作为正向偏压，加在可控硅VS及R支路上。 白天，亮度大于一定程度时，光敏二极管D呈现低阻状态≤1KΩ，使三极管V截止，其发射极无电流输出，单向可控硅VS因无触发电流而阻断。此时流过灯泡H的电流≤2.2mA,灯泡H不能发光。电阻R1和稳压二极管DW使三极管V偏压不超过6.8V，对三极管起保护作用。 夜晚，亮度小于一定程度时，光敏二极管D呈现高阻状态≥100KΩ，使三极管V正向导通，发射极约有0.8V的电压，使可控硅VS触发导通，灯泡H发光。RP是清晨或傍晚实现开关转换的亮度选择元件。 二、基本放大电路及其分析方法 1.基本放大电路 共射电路 共集电路 共基电路 2.放大电路的分析方法 图解法 微变等效法 3.多级放大电路 集成运放 四、负反馈放大电路 ( a ) ＋ － ＋ u i R 1 i 1 A u ＋ u － i － i ＋ R 2 R f i f u o ∞ 五、集成运放的应用 1.反向比例运放 ＋ － ＋ R 2 R 1 u i i i i f R f u o i ＋ ( a ) ∞ 2.同向比例运放 3.加法电路 4.积分电路 * * 模拟电子线路部分 一、半导体器件 1.本征半导体，N型半导体，P型半导体 2.半导体二极管 (1）按材料分:有硅二极管,锗二极管和砷化镓二极管等。 (2）按结构分:根据PN结面积大小,有点接触型、面接触型二极管。 (3）按用途分:有整流、稳压、开关、发光、光电、变容、阻尼等二极管。 (4）按封装形式分:有塑封及金属封等二极管。 (5）按功率分:有大功率、中功率及小功率等二极管 伏安特性： 半导体二极管的主要参数 ? 1. 最大整流电流IF 2. 最大反向工作电压 URM  3. 反向饱和电流 IR 4. 二极管的直流电阻R 5. 最高工作频率fM 3.半导体三极管 三极管的分类： 三极管的种类很多, 有下列几种分类形式： (1) 按其结构类型分为NPN管和PNP管;  (2) 按其制作材料分为硅管和锗管;  (3) 按工作频率分为高频管和低频管;  三极管的伏安特性曲线： 三极管的主要参数： 1）电流放大系数 2）反向饱和电流ICBO 3）穿透电流ICEO 4）集电极最大允许电流ICM 5）集电极—发射极间的击穿电压U（BR）CEO 6)集电极最大耗散功率PCM 低频大功率管 （f3MHz， Pc1W） 高频大功率管 （f≥3MHz， Pc1W） 半导体品闸管（可控硅） 体效应器件 雪崩管 阶跃恢复管 场效应器件 半导体特殊器件 复合管 PIN型管 激光器件 D A T Y B J CS BT FH PIN JG 普通管 微波管 稳压管 参量管 整流管 整流堆 隧道管 阻尼管 光电器件 开关管 低频小功率管（f3MHz， Pc1W） 高频小功率管 （f≥3MHz，Pc1W） P V W C Z L S N U K X G N型，锗材料 P型，锗材料 N型，锗材料 P型，锗材料 PNP型， 锗材料 NPN型， 锗材料 PNP型， 锗材料 NPN型， 硅材料 A B C D A B C D 二极管 三极管 2 3 意义 符号 意义 符号 意义 符号 意义 符号 用汉语拼音字母表示器件的规格号 用数字表示器件序号 用汉语拼音写字母表示器件的类型 用汉语拼音字母表示器件的材料和极性 用数字表示器件的电极数 第五 部分 第四 部分 第三部分 第二部分 第一部分 场效应管、半导体特殊器件、复合管、PIN型管和激光器件等型号的组成只有第三、四和五部分。 3.场效应管 场效应管按结构分为结型场效应管和绝缘栅型场效应管两类