[工学]第4讲模拟电子电路.ppt

第四讲 模拟电子电路 4.1 常用电子器件 4.2 晶体管放大电路 4.3 集成运算放大器电路 4.4 集成功率放大电路 4.5 波形发生电路 4.1 常用电子器件 4.1.1 晶体二极管 4.1.2 双极型晶体管 4.1.3 场效应晶体管 4.1.4 光电器件 4.1.1 晶体二极管 本征半导体完全纯净的具有晶体结构的半导体称为本征半导体。它具有共价键结构。 N型半导体和P型半导体 N型半导体 在硅或锗中掺入少量的五价元素，如磷或砷、锑，则形成N型半导体。 N型半导体和P型半导体 P型半导体 在硅或锗中掺入三价元素，如硼或铝、镓，则形成P型半导体。 PN结 用专门的制造工艺在同一块半导体单晶上，形成P型半导体区域和N型半导体区域，在这两个区域的交界处就形成一个PN结 。 PN结具有单向导电性 二极管的结构与符号 几种二极管外观图 二极管的伏安特性 二极管的主要参数 最大整流电流IOM 最大反向工作电压UDR 反向电流IDR 稳压二极管 稳压二极管主要参数 稳定电压UZ 稳定电流IZ 动态电阻rZ rz = △UZ / △IZ 电压温度系数αUZ 一般情况:高于6V的αUZ 为负,低于6V的αUZ为正。 最大允许耗散功率PZM 4.1.2 双极型晶体管 1. 基本结构、符号 2. 电流分配与放大作用 3. 特性曲线 4. 主要参数 5. 小信号模型 1. 基本结构、符号 2. 电流分配与放大作用 3. 特性曲线 晶体管输出特性曲线分三个工作区 4. 主要参数 电流放大系数β 5. 小信号模型 在小信号情况下，工作点附近的输入特性以直线取代 输出特性只受ib控制，而与uce大小无关 4.1.3 场效应晶体管 场效应晶体管是利用电场效应来控制电流的一种半导体器件，绝缘栅型场效应管的应用最为广泛，这种场效应管又称为金属－氧化物－半导体场效应晶体管（MOS）。 按其导电类型可将场效应晶体管分为N沟道和P沟道两种，按其导电沟道的形成过程可分为耗尽型和增强型两种。 1.绝缘栅型场效应管的结构和符号 4.1.5 光电器件 1. 发光二极管 2. 光敏二极管 3. 光敏晶体管 4. 光电耦合器 1. 发光二极管 发光二极管是一种能将电能转换成光能的器件，简称LED 发光二极管也具有单向导电性，但其正向工作电压要高于普通二极管，通常在1.4V以上 发光二极管的外形及符号 2. 光敏二极管 光敏二极管是一种将光能转换成电流的器件，其PN结封装在具 有透明聚光窗的管壳 内。 3. 光敏晶体管 光敏三极管和普通三极管的结构相类似。不同之处是光敏三极管有一个对光敏感的PN结作为感光面。 *4.光电耦合器 光电耦合器是把发光二极管和光敏二极管或光敏晶体管合二为一的器件，输入端接收电信号，中间以光耦合的形式控制输出端的电信号。由于输入输出没有电气的直接联系，故又称为光电隔离器。 4.2.1 阻容耦合的共发射极电路 C1 用来隔断放大电路与信号源之间的直流通路。 C2用来隔断放大电路与负载之间的直流通路。 C1、 C2 同时又起到耦合交流的作用，其电容值应足够大，以保证在一定的频率范围内，耦合电容上的交流压降达到可以忽略不计，即对交流信号可视为短路。 静态分析 动态分析 动态分析主要了解放大器的放大能力（电压放大倍数Au）、信号接收能力（输入电阻ri）以及信号输出能力（输出电阻ro） 共发射极电路的电压放大倍数为 输入电阻与输出电阻 4.3 集成运算放大器及其电路 4.3.1 集成运算放大器 4.3.2 比例运算电路 4.3.3 加减运算电路 4.3.4 积分、微分运算电路 *4.3.5 电压比较器 4.3.1 集成运算放大器 集成运放是具有高开环放大倍数并带有深度负反馈的多级直接耦合放大电路。 外形、符号与主要参数集成运放的管脚 集成运放的符号 集成运放的主要参数 开环（差模）电压放大倍数 最大输出电压 集成运放的电压传输特性 4.3.2 比例运算电路 2. 同相输入比例运算 4.3.4 积分、微分运算电路 2. 微分运算 *4.3.5 电压比较器 电压比较器组成的报警电路 4.4 集成功率放大电路 功率放大电路的基本要求 输出功率尽可能大 非线性失真尽可能小 效率要高 4.5 波形发生电路 4.5.1 RC正弦波振荡电路 4.5.2 集成运放组成的多谐振荡器 4.5.3 555集成定时器构成的多谐振荡器 本章结束 谢谢！ 光电耦合器及符号 返回 翻页 晶体管放大电路是利用晶体管将微弱的电信号进行放大的电子电路的总称。 放大电路的一个基本要求就是在对电信号进行放大的同时，输出信号的变化规律与输入信号变化规律一致，